[发明专利]一种NLDMOS器件及制备方法、芯片有效
| 申请号： | 202210014429.0 | 申请日： | 2022-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN114050181B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 赵东艳;王于波;邓永峰;陈燕宁;付振;刘芳;余山;吴波;郁文;王凯;刘倩倩 | 申请（专利权）人： | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 高英英 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种NLDMOS器件及制备方法、芯片，所述NLDMOS器件包括：衬底，所述衬底上方设有第一高压N阱区和第二高压N阱区，所述第一高压N阱区和第二高压N阱区之间留有衬底间隙；所述第一高压N阱区和第二高压N阱区上设有P型降低电场区，所述P型降低电场区经过所述衬底间隙；所述第一高压N阱区上还设有P型体区，所述第二高压N阱区上设有N型漂移区；所述P型体区、衬底间隙以及N型漂移区形成PIN结。所述NLDMOS器件的结构设计有效的提高了击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nldmos 器件 制备 方法 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司，未经北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210014429.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高度可调节阻尼器实验装置
- 下一篇：无线充电发射装置
- 同类专利
- 专利分类
