[发明专利]一种NLDMOS器件及制备方法、芯片有效
| 申请号： | 202210014429.0 | 申请日： | 2022-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN114050181B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 赵东艳;王于波;邓永峰;陈燕宁;付振;刘芳;余山;吴波;郁文;王凯;刘倩倩 | 申请（专利权）人： | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 高英英 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nldmos 器件 制备 方法 芯片 | ||
1.一种NLDMOS器件，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上方设有第一高压N阱区和第二高压N阱区，所述第一高压N阱区和第二高压N阱区之间留有衬底间隙；
所述第一高压N阱区和第二高压N阱区上设有P型降低电场区，所述P型降低电场区经过所述衬底间隙；
所述第一高压N阱区上还设有P型体区，所述第二高压N阱区上设有N型漂移区；
所述N型漂移区包括低剂量N型漂移区和高剂量N型漂移区；
所述P型体区、衬底间隙以及N型漂移区形成PIN结。
2.根据权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于，
所述低剂量N型漂移区上设有低剂量、低能量P型离子注入层；
所述高剂量N型漂移区上设有低掺杂N型离子注入层；
将场氧设于所述低剂量N型漂移区和高剂量N型漂移区上；
所述高剂量N型漂移区上设有重掺杂N型离子注入层，所述场氧的一端与所述重掺杂N型离子注入层的一端相接；
所述场氧的底部设于所述低剂量、低能量P型离子注入层上。
3.根据权利要求2所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述NLDMOS器件上方还设有栅极；
所述低剂量、低能量P型离子注入层的一侧超出所述栅极同侧的外沿。
4.根据权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于，
所述衬底为P型衬底。
5.根据权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于，
所述第一高压N阱区设有隔离区、重掺杂N型离子注入层、重掺杂P型离子注入层；第二高压N阱区上设有隔离区和重掺杂N型离子注入层。
6.一种NLDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：
形成衬底；
在所述衬底上方形成第一高压N阱区和第二高压N阱区，所述第一高压N阱区和第二高压N阱区之间留有衬底间隙；
在所述第一高压N阱区和第二高压N阱区上形成P型降低电场区，所述P型降低电场区经过所述衬底间隙；
在所述第一高压N阱区上还形成P型体区，在所述第二高压N阱区上形成N型漂移区，所述N型漂移区包括低剂量N型漂移区和高剂量N型漂移区；
将所述P型体区、衬底间隙以及N型漂移区形成PIN结。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，
在所述低剂量N型漂移区上形成低剂量、低能量P型离子注入层；
在所述高剂量N型漂移区上形成低掺杂N型离子注入层；
所述高剂量N型漂移区上设有重掺杂N型离子注入层，场氧的一端与所述重掺杂N型离子注入层的一端相接；
所述场氧的底部设于所述低剂量、低能量P型离子注入层上。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述NLDMOS器件上方形成栅极，所述低剂量、低能量P型离子注入层的一侧超出所述栅极同侧的外沿。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，
所述衬底为P型衬底。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，
在所述第一高压N阱区设有隔离区、重掺杂N型离子注入层、重掺杂P型离子注入层；第二高压N阱区上设有隔离区和重掺杂N型离子注入层。
11.一种芯片，其特征在于，该芯片包括权利要求1-5中任一项所述的NLDMOS器件。
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