[发明专利]半导体封装元件的形成方法在审
| 申请号： | 202210008741.9 | 申请日： | 2022-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN115732337A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 简亦鸿;王郡莹;陈德威;陈秀园;吴秉陵 | 申请（专利权）人： | 慧荣科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/367;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体封装元件的形成方法，包括：提供基底；在基底的第一侧上形成倒装芯片；在基底的第一侧上形成模制化合物，其中模制化合物覆盖倒装芯片；在模制化合物上形成散热片；在基底的第二侧上形成胶层，其中第二侧为第一侧在垂直方向上的相对侧；在形成胶层之后，对散热片进行预切制程和蚀刻制程；以及移除胶层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 元件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
