[发明专利]半导体封装元件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体封装元件的形成方法，包括：

提供一基底；

形成一倒装芯片(flip chip die)于该基底的一第一侧上；

形成一模制化合物(molding compound)于该基底的该第一侧上，其中该模制化合物覆盖该倒装芯片；

形成一散热片(heat sink)于该模制化合物上；

形成一胶层于该基底的一第二侧上，其中该第二侧为该第一侧在垂直方向上的相对侧；

在形成该胶层之后，对该散热片进行一预切(pre-cut)制程和一蚀刻制程；以及

移除该胶层。

2.如权利要求1的半导体封装元件的形成方法，其特征在于，该倒装芯片藉由多个柱体连接至该基底。

3.如权利要求2的半导体封装元件的形成方法，其特征在于，还包括注入一底部填充剂(underfill)于该基底和该倒装芯片之间，且围绕该些柱体。

4.如权利要求1的半导体封装元件的形成方法，其特征在于，形成该模制化合物包括平坦化该模制化合物的顶面。

5.如权利要求1的半导体封装元件的形成方法，其特征在于，该基底的该第一侧和该第二侧的每一个更包括：

一外金属层；

一焊遮罩，覆盖该外金属层；以及

一有机保焊(Organic Solderability Preservative,OSP)膜，覆盖该外金属层。

6.如权利要求5的半导体封装元件的形成方法，其特征在于，还包括图案化该焊遮罩以形成多个图案化开口，其中该外金属层透过该些图案化开口露出。

7.如权利要求6的半导体封装元件的形成方法，其特征在于，该有机保焊膜直接接触该外金属层透过该些图案化开口露出的部分。

8.如权利要求1的半导体封装元件的形成方法，其特征在于，对该散热片进行该预切制程以形成多个切割开口于该散热片中。

9.如权利要求1的半导体封装元件的形成方法，其特征在于，在进行该预切制程之后，产生多个金属残留物于该些切割开口内。

10.如权利要求1的半导体封装元件的形成方法，其特征在于，该蚀刻制程为湿蚀刻制程。

11.如权利要求9的半导体封装元件的形成方法，其特征在于，进行该蚀刻制程以移除该些金属残留物。

12.如权利要求1的半导体封装元件的形成方法，其特征在于，该胶层将该基底的该第二侧与进行该蚀刻制程使用的化学品隔离。

13.如权利要求1的半导体封装元件的形成方法，其特征在于，在完成该蚀刻制程之后，移除该胶层。

14.如权利要求1的半导体封装元件的形成方法，其特征在于，还包括在移除该胶层之后，在该基底的该第二侧上形成多个焊接球。

15.如权利要求14的半导体封装元件的形成方法，其特征在于，还包括在形成该些焊接球之后，对该半导体封装元件进行单晶化(singulation)制程。