[发明专利]半导体封装元件的形成方法

说明书

一种半导体封装元件的形成方法，包括：提供基底；在基底的第一侧上形成倒装芯片；在基底的第一侧上形成模制化合物，其中模制化合物覆盖倒装芯片；在模制化合物上形成散热片；在基底的第二侧上形成胶层，其中第二侧为第一侧在垂直方向上的相对侧；在形成胶层之后，对散热片进行预切制程和蚀刻制程；以及移除胶层。

技术领域

本发明是关于半导体封装元件的形成方法，特别是关于保护用来连接焊接球的焊垫的方法。

背景技术

半导体工业藉由持续地减低最小特征尺寸以持续改善各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻、电容等)的整合密度，而允许更多组件整合于给定的面积中。然而，随着最小特征尺寸减低，衍生出额外的问题需要被解决。

当更多的组件整合于给定的面积中，元件在操作中的散热需求也随之提高。在习知的半导体封装元件上额外形成散热片(heat sink)。然而，散热片的材料通常选自金属等硬材料，因此增加了单晶化(singulation)制程的难度。为了克服新增的难度，需要在单晶化制程之前进行其他蚀刻制程，而其蚀刻制程却有可能损伤半导体封装元件表面上的金属焊垫。因此，在提高半导体封装元件的散热能力之前，必须解决蚀刻制程损伤封装元件表面的问题。

发明内容

一种半导体封装元件的形成方法，包括：提供基底；形成倒装芯片于基底的第一侧上；形成模制化合物于基底的第一侧上，其中模制化合物覆盖倒装芯片；形成散热片于模制化合物上；形成胶层于基底的第二侧上，其中第二侧为第一侧在垂直方向上的相对侧；在形成胶层之后，对散热片进行预切制程和蚀刻制程；以及移除胶层。

附图说明

以下将配合附图详述本揭露实施例之各面向。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制。事实上，可任意地放大或缩小各种元件的尺寸，以清楚地表现出本揭露实施例的特征。

图1A和2～11是根据本揭露的一些实施例，在制造半导体封装元件的各种中间阶段的剖面示意图。

图1B是根据本揭露的一些实施例，绘示出图1A的结构的放大示意图。

【符号说明】

10:半导体封装元件

100:基底

100A:第一侧

100B:第二侧

120:倒装芯片

130:柱体

140:底部填充剂

150:模制化合物

160:散热片

160R:金属残留物

170:切割开口

180:胶层

200:焊接球

1000:核心

1100:内金属层

1200:导孔

1300:黏合层

1400:外金属层

1500:焊遮罩

1600:有机保焊膜

1800:图案化开口

具体实施方式