[发明专利]多层真空电子装置及制造方法在审
| 申请号： | 202180076719.1 | 申请日： | 2021-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN116547776A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | D·G·多尔蒂 | 申请（专利权）人： | 艾弗公司 |
| 主分类号： | H01J37/04 | 分类号： | H01J37/04 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 姚远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有多个二维的各种材料层的真空电子装置(VED)被结合在一起以同时形成一个或多个VED。二维材料层被机械加工成包括装置工作所需的特征，使得当组装和结合成三维结构时，形成三维特征。二维层结合在一起成为夹心状结构。制造方法能够并入VED制造所需的金属材料、磁性材料、陶瓷材料和其它材料，同时维持所需的位置精度和每批多装置的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 真空 电子 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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