[发明专利]多层真空电子装置及制造方法在审

专利信息
申请号: 202180076719.1 申请日: 2021-11-13
公开(公告)号: CN116547776A 公开(公告)日: 2023-08-04
发明(设计)人: D·G·多尔蒂 申请(专利权)人: 艾弗公司
主分类号: H01J37/04 分类号: H01J37/04
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 姚远
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 多层 真空 电子 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种真空电子装置,其包括:

第一平面非磁性导体板;

第二平面非磁性导体板;

设置在所述第一非磁性导体板与所述第二非磁性导体板之间的多个平面非磁性相互作用结构成形板,

其中所述第一非磁性导体板、所述第二非磁性导体板和所述多个非磁性相互作用结构成形板平行布置并结合在一起,并且所述平面非磁性相互作用结构成形板包括RF相互作用区。

2.根据权利要求1所述的装置,还包括由磁性材料形成并且包括至少一个磁体的第一平面磁性板,其中所述第一平面磁性板平行于所述第一平面非磁性导体板设置在所述第一平面非磁性导体板与所述多个非磁性相互作用结构成形板相对的一侧。

3.根据权利要求2所述的装置,还包括由磁性材料形成并且包括至少一个磁体的第二平面磁性板,其中所述第二平面磁性板平行于所述第二平面非磁性导体板设置在所述第二平面非磁性导体板与所述多个非磁性相互作用结构成形板相对的一侧。

4.根据权利要求2所述的装置,其中一个或多个凹穴形成在所述第一平面非磁性导体板中。

5.根据权利要求4所述的装置,其中所述凹穴中的至少一个包含吸气材料。

6.根据权利要求4所述的装置,其中所述凹穴中的至少一个包含电子发射材料。

7.根据权利要求4所述的装置,其中所述凹穴中的至少一个包含电路切断材料。

8.一种制造真空电子装置的方法,所述方法包括:

由非磁性导电材料形成第一平面非磁性导体板;

由非磁性导电材料形成第二平面非磁性导体板;

由彼此平行布置的多个导电非磁性相互作用结构成形板形成相互作用结构,其中部分相互作用区切入各自的导电非磁性相互作用结构成形板;

将所述第一平面非磁性导体板、所述相互作用结构和所述第二平面非磁性导体板设置成堆叠物,使得所述第一平面非磁性导体板和所述第二平面非磁性导体板处于所述堆叠物外部;

将所述第一平面非磁性导体板、所述相互作用结构和所述第二平面非磁性导体板结合在一起。

9.根据权利要求8所述的方法,还包括:

由磁性材料形成第一平面磁性板并在其上设置至少一个磁体;

在所述第一平面非磁性导体板与所述多个非磁性相互作用结构成形板相对的一侧,平行于所述第一平面非磁性导体板设置所述第一平面磁性板。

10.根据权利要求9所述的方法,还包括:

将所述第一平面磁性板结合至所述第一平面非磁性导体板。

11.根据权利要求10所述的方法,还包括:

由磁性材料形成第二平面磁性板并在其上设置至少一个磁体;

在所述第二平面非磁性导体板与所述多个非磁性相互作用结构成形板相对的一侧,平行于所述第二平面非磁性导体板设置所述第二平面磁性板。

12.根据权利要求11所述的方法,还包括:

将所述第二平面磁性板结合至所述第二平面非磁性导体板。

13.根据权利要求12所述的方法,还包括形成的一个或多个凹穴,所述一个或多个凹穴形成在所述第一平面非磁性导体板中。

14.根据权利要求13所述的方法,还包括将吸气材料放置到所述凹穴中的至少一个中。

15.根据权利要求12所述的方法,还包括将电子发射材料放置到所述凹穴中的至少一个中。

16.根据权利要求12所述的方法,还包括将电路切断材料放置到所述凹穴中的至少一个中。

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