[发明专利]多层真空电子装置及制造方法在审

专利信息
申请号: 202180076719.1 申请日: 2021-11-13
公开(公告)号: CN116547776A 公开(公告)日: 2023-08-04
发明(设计)人: D·G·多尔蒂 申请(专利权)人: 艾弗公司
主分类号: H01J37/04 分类号: H01J37/04
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 姚远
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 多层 真空 电子 装置 制造 方法
【说明书】:

具有多个二维的各种材料层的真空电子装置(VED)被结合在一起以同时形成一个或多个VED。二维材料层被机械加工成包括装置工作所需的特征,使得当组装和结合成三维结构时,形成三维特征。二维层结合在一起成为夹心状结构。制造方法能够并入VED制造所需的金属材料、磁性材料、陶瓷材料和其它材料,同时维持所需的位置精度和每批多装置的能力。

相关申请及优先权要求的声明

本申请要求基于以下内容的优先权权益:(1)以发明人Diana Gamzina Daugherty的名义于2020年11月15日提交且对其一般占有的标题为“Multil-ayered multi-materialmanufacturing process for vacuum electronic devices”的美国临时专利申请序列号63/198,817,其内容特此通过引用并入,如同在本文中完整阐述一样;以及(2)以发明人Diana Gamzina Daugherty的名义于2020年11月21日提交且对其一般占有的标题为“Electronic magneto-electrostatic sensing,focusing,and steering of electronbeams in microwave,millimeter wave,and near-terahertz vacuum electronicdevices”的美国临时专利申请序列号63/198,915,其内容特此通过引用并入,如同在本文中完整阐述一样。

本申请可视为与2021年11月12日提交的另一件专利申请相关:以发明人DianaGamzina Daugherty的名义且对其一般占有的美国专利申请序列号17/525,698且标题为“Magneto-Electrostatic Sensing,Focusing,and Steering of Electron Beams inVacuum Electron Devices”,该申请进而要求基于以下内容的优先权权益:(1)以发明人Diana Gamzina Daugherty的名义于2020年11月15日提交且对其一般占有的标题为“Multi-layered multi-material manufacturing process for vacuum electronicdevices”的美国临时专利申请序列号63/198,817;以及(2)以发明人Diana GamzinaDaugherty的名义于2020年11月21日提交且对其一般占有的标题为“Electronic magneto-electrostatic sensing,focusing,and steering of electron beams in microwave,millimeter wave,and near-terahertz vacuum electronic devices”的美国临时专利申请序列号63/198,915。美国专利申请序列号17/525,698的内容特此通过引用并入,如同在本文中完整阐述一样。

技术领域

本公开总体上涉及一种用于制造真空电子装置(VED)的制造方法,所述真空电子装置具有多个二维的各种材料层,多个二维的各种材料层结合在一起以同时形成一个或多个VED。二维材料层被机械加工成包括装置工作所需的特征,使得当组装和结合成三维结构时,形成三维特征。二维层结合在一起成为夹心状结构。制造方法能够并入VED制造所需的金属材料、磁性材料、陶瓷材料和其它材料,同时维持所需的位置精度和每批多装置的能力。

背景技术

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