[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202180065550.X | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN116250079A9 | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 高桥圣一;下田将義;矶崎诚 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周爽;周春燕 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够防止陶瓷层叠基板的劣化的半导体装置。陶瓷板(20)为板状，具备正面以及与正面相反一侧的背面，并且具备多个陶瓷粒子。金属层(30)被施加高电位的电压，与陶瓷板(20)的正面接合，与半导体芯片电连接，并包含铜。金属层(40)被施加低电位的电压，与陶瓷板(20)的背面接合，并包含铜。中间层(50b)形成于陶瓷板(20)的背面和金属层(40)之间，包含具备镁的氧化物即具备镁的氧化物(51b)。陶瓷层叠基板(10)即使在高温下被施加了高电压，也通过包含于陶瓷板(20)与金属层(40)之间的具备镁的氧化物(51b)来抑制金属层(40)相对于陶瓷板(20)的接合性的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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