[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体芯片；

接合部件；以及

层叠基板，其为板状，具备正面以及与所述正面相反一侧的背面，并且在所述正面经由所述接合部件而接合有所述半导体芯片，

所述层叠基板具有：

陶瓷板，其为板状，具备第一主面以及与所述第一主面相反一侧的第二主面，并且具备多个陶瓷粒子；

高电位金属层，其与所述第一主面接合且包含铜；

低电位金属层，其与所述第二主面接合且包含铜，并且电位比所述第一主面的电位低；以及

中间层，其形成于所述第二主面和所述低电位金属层之间，包含具备镁、锰中的至少一者的第一氧化物。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一主面是所述层叠基板的正面侧，

所述第二主面是所述层叠基板的背面侧，

所述半导体芯片与所述高电位金属层电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一主面是所述层叠基板的背面侧，

所述第二主面是所述层叠基板的正面侧，

所述半导体芯片与所述低电位金属层电连接。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述陶瓷板和所述中间层包含以氧化物换算而计为0.1wt％以上且1.5wt％以下的镁、以氧化物换算而计为0.01wt％以上且0.15wt％以下的锰中的至少一者。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述中间层覆盖所述第二主面的10％以上且80％以下。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一氧化物还配置于所述第二主面侧的所述多个陶瓷粒子之间。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一氧化物在所述中间层大量地形成于所述第二主面侧。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一氧化物还包含具备铝的氧化物。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一氧化物包含MgO、MnO、(Mg，Mn)O、(Mg，Mn)Mn₂O₄中的任一者。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一氧化物包含具备铝的尖晶石晶系。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述陶瓷板在所述多个陶瓷粒子的晶界和三相点中的至少任一者还包含具备硅的第二氧化物。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述陶瓷板中的所述硅的含量以氧化物换算而计为0.01wt％以上且3.0wt％以下。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述陶瓷板中的所述硅的含量以氧化物换算而计为1.0wt％以上且3.0wt％以下。