[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202180048312.8 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN115836395A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 郡山祐至 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置，其能够在降低寄生电容的同时实现高可靠性，并且能够在抑制制造成本增加的同时防止栅极泄漏缺陷。该半导体装置包括具有掩埋绝缘膜和设置在掩埋绝缘膜上并形成有半导体元件的半导体层的基板、设置在半导体层上并且在从上方观察基板的情况下具有从半导体层的中央部分延伸到半导体层的每个端部的布线、设置在半导体层上的源极接触通孔和漏极接触通孔、以及设置在半导体层的端部与栅电极的布线相交的区域附近的突出部分，该突出部分包括与半导体层的材料相同的材料并且从半导体层的侧表面向外突出。半导体层的端部的至少一部分具有厚膜区，每个厚膜区具有比半导体层的栅电极正下方的部分更大的膜厚。源极接触通孔和漏极接触通孔设置在厚膜区以外的区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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