[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

基板，具有掩埋绝缘膜和设置在掩埋绝缘膜上并形成有半导体元件的半导体层；

栅电极，设置在所述半导体层上，并且在从上方观察所述基板的情况下具有从所述半导体层的中央部分延伸到所述半导体层的每个端部的布线；

设置在所述半导体层上的源极接触通孔和漏极接触通孔；以及

设置在所述半导体层的所述端部与所述栅电极的所述布线相交的区域附近的突出部分，所述突出部分包括与所述半导体层的材料相同的材料并且从所述半导体层的侧表面向外突出，其中

所述半导体层的所述端部的至少一部分具有厚膜区，每个厚膜区具有比所述半导体层的所述栅电极正下方的部分更大的膜厚，

所述源极接触通孔和所述漏极接触通孔设置在所述厚膜区以外的区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述布线具有从所述半导体层的相应端部向外延伸的引出部分，并且

设置有两个或更多个所述突出部分，将所述栅电极的所述引出部分夹在所述突出部分之间。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述布线具有从所述半导体层的相应端部向外延伸的引出部分，

所述栅电极的所述引出部分以所述引出部分彼此平行的方式部署有多个，以及

所述突出部分设置在与所述栅电极的所述引出部分彼此面对的端部相对的端部处。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，还包括：

隔离所述半导体元件的元件隔离部分。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体层的所述端部的膜厚是所述半导体层的所述中央部分的膜厚的2倍至10倍。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中

所述半导体层的所述端部具有140nm至200nm的膜厚，并且

所述半导体层的所述中央部分具有20nm至70nm的膜厚。

7.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中，

所述突出部分在与所述栅电极的所述布线的延伸方向平行的方向上突出0.4μm以上，并且在与所述延伸方向垂直的方向上突出0.7μm以上，或者所述突出部分在与所述延伸方向平行的方向上突出1μm以上，并且在与所述延伸方向垂直的方向上突出1μm以上。

8.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，

所述突出部分和所述栅电极的所述引出部分之间的距离为14nm以上且200nm以下。

9.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中，

从所述基板上方观察，所述突出部分具有四边形、圆形、三角形和多边形中的至少一种形状。

10.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中，

从所述基板上方观察，所述栅电极具有H形、T形、I形和梯子形中的任一种。

11.一种半导体装置的制造方法，所述制造方法包括：

在设置在掩埋绝缘膜上并形成有半导体元件的半导体层上形成栅电极，在从上方观察具有所述掩埋绝缘膜和所述半导体层的基板的情况下，所述栅电极具有从所述半导体层的中央部分延伸到所述半导体层的端部的布线；

形成突出部分，每个突出部分位于所述半导体层的所述端部与所述栅电极的所述布线相交的区域附近，所述突出部分包括与所述半导体层的材料相同的材料并且从所述半导体层的侧表面向外突出；以及

将所述半导体层的所述端部的膜厚设定为大于所述半导体层的所述栅电极正下方的部分。