[发明专利]半导体装置、成像装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202180048300.5 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN115836382A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 牛肠哲雄 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明减少了贯通硅通路(TSV)中的寄生电容。半导体装置包括给定的层。通路上下贯通给定的层。导体与上下贯通的层的上表面侧材料和下表面侧材料接触。导体在导体和通路内侧之间形成上下贯通该层而不与通路的内侧接触的腔体部分。该层的至少上表面侧材料或下表面侧材料是导电材料，并且该导电材料的至少一部分包括针对腔体部分的开口部分。该开口部分用于在蚀刻期间供应蚀刻剂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 成像 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
