[发明专利]半导体装置、成像装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202180048300.5 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN115836382A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 牛肠哲雄 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 成像 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
上下贯通给定的层的通路；
所述层的上表面侧材料和下表面侧材料；以及
导体，所述导体与所述层的所述上表面侧材料和所述下表面侧材料接触，并且在所述导体和所述通路的内侧之间形成上下贯通所述层的腔体部分。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中
所述层的至少所述上表面侧材料或所述下表面侧材料包括导电材料，并且
所述导电材料的至少一部分包括针对所述腔体部分的开口部分。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中
所述层是半导体基板。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中
所述层是绝缘膜。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
在所述通路内侧形成的绝缘侧壁。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中
所述导体包括在其内侧的绝缘材料。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中
所述导体形成布线。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
在所述通路的周边处上下贯通所述层的周围沟槽。
9.一种成像装置，具有包含多个层的堆叠结构，所述成像装置包括：
上下贯通所述多个层中的给定的层的通路；
所述层的上表面侧材料和下表面侧材料；以及
导体，所述导体与所述层的所述上表面侧材料和所述下表面侧材料接触，并且在所述导体和所述通路的内侧之间形成上下贯通所述层的腔体部分。
10.根据权利要求9的成像装置，其中
所述层的至少所述上表面侧材料或所述下表面侧材料包括导电材料，并且
所述导电材料的至少一部分包括针对所述腔体部分的开口部分。
11.根据权利要求10的成像装置，其中
所述导电材料布置在与入射光侧相对的表面上。
12.根据权利要求10的成像装置，其中
所述导电材料布置在与入射光侧相同的表面上。
13.一种半导体装置制造方法，包括：
形成上下贯通给定的层的通路的步骤；
在所述通路内侧形成具有与所述层的蚀刻速率不同的蚀刻速率的蚀刻目标材料的步骤；
在所述蚀刻目标材料内侧形成导体的步骤；以及
在所述导体与所述层的上表面侧材料和下表面侧材料接触的情况下蚀刻所述蚀刻目标材料的步骤。
14.根据权利要求13所述的半导体装置制造方法，其中
所述层的至少所述上表面侧材料或所述下表面侧材料包括导电材料，并且
所述半导体装置制造方法还包括：使所述导电材料成形为使得所述蚀刻目标材料在所述导电材料的至少一部分处被暴露的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司，未经索尼半导体解决方案公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
