[发明专利]极紫外光刻用正型抗蚀剂组合物和极紫外光刻用抗蚀剂图案形成套件

摘要

本发明的目的在于提供一种能够用于在EUV光刻技术中以高分辨率高效地形成微细的抗蚀剂图案的正型抗蚀剂组合物。本发明的极紫外光刻用正型抗蚀剂组合物包含具有下述式(I)所表示的单体单元(A)和下述式(II)所表示的单体单元(B)、且重均分子量大于100000的共聚物。另外，式(I)中，X为卤原子等，L为单键或二价的连结基团，Ar为能够具有取代基的芳香环基。此外，式(II)中，R1为烷基，R2为烷基、卤原子、卤代烷基、羟基、羧基或卤代羧基，p为0以上且5以下的整数，在存在多个R2的情况下，它们彼此能够相同，也能够不同。