[发明专利]极紫外光刻用正型抗蚀剂组合物和极紫外光刻用抗蚀剂图案形成套件

权利要求书

1.一种极紫外光刻用正型抗蚀剂组合物，其包含具有下述式(I)所表示的单体单元(A)和下述式(II)所表示的单体单元(B)、且重均分子量大于100000的共聚物，

式(I)中，X为卤原子、氰基、烷基磺酰基、烷氧基、硝基、酰基、烷基酯基或卤代烷基，L为单键或二价的连结基团，Ar为能够具有取代基的芳香环基，

式(II)中，R¹为烷基，R²为烷基、卤原子、卤代烷基、羟基、羧基或卤代羧基，p为0以上且5以下的整数，在存在多个R²的情况下，它们彼此能够相同，也能够不同。

2.根据权利要求1所述的极紫外光刻用正型抗蚀剂组合物，其中，所述单体单元(A)为α-氯丙烯酸-1-苯基-1-三氟甲基-2,2,2-三氟乙酯单元，

所述单体单元(B)为α-甲基苯乙烯单元或4-甲基-α-甲基苯乙烯单元。

3.根据权利要求1或2所述的极紫外光刻用正型抗蚀剂组合物，其中，所述共聚物中所述单体单元(A)的含有比例大于50摩尔％且为60摩尔％以下，所述单体单元(B)的含有比例为40摩尔％以上且小于50摩尔％。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的极紫外光刻用正型抗蚀剂组合物，其中，所述共聚物的分子量分布(Mw/Mn)为1.20以上且1.60以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的极紫外光刻用正型抗蚀剂组合物，其中，所述共聚物中分子量小于10000的成分的比例小于1.5％。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的极紫外光刻用正型抗蚀剂组合物，其中，所述共聚物中分子量小于50000的成分的比例小于30％。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的极紫外光刻用正型抗蚀剂组合物，其中，所述共聚物中分子量小于100000的成分的比例小于70％。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的极紫外光刻用正型抗蚀剂组合物，其中，所述共聚物中分子量大于200000的成分的比例大于8.0％。

9.一种极紫外光刻用抗蚀剂图案形成套件，其是由权利要求1～8中任一项所述的极紫外光刻用正型抗蚀剂组合物和显影液构成的。

10.根据权利要求9所述的极紫外光刻用抗蚀剂图案形成套件，其中，所述显影液为醇。

11.根据权利要求10所述的极紫外光刻用抗蚀剂图案形成套件，其中，所述醇的碳原子数为2以上且6以下。