[发明专利]极紫外光刻用正型抗蚀剂组合物和极紫外光刻用抗蚀剂图案形成套件

说明书

本发明的目的在于提供一种能够用于在EUV光刻技术中以高分辨率高效地形成微细的抗蚀剂图案的正型抗蚀剂组合物。本发明的极紫外光刻用正型抗蚀剂组合物包含具有下述式(I)所表示的单体单元(A)和下述式(II)所表示的单体单元(B)、且重均分子量大于100000的共聚物。另外，式(I)中，X为卤原子等，L为单键或二价的连结基团，Ar为能够具有取代基的芳香环基。此外，式(II)中，R¹为烷基，R²为烷基、卤原子、卤代烷基、羟基、羧基或卤代羧基，p为0以上且5以下的整数，在存在多个R²的情况下，它们彼此能够相同，也能够不同。

技术领域

本发明涉及一种极紫外光刻用正型抗蚀剂组合物和极紫外光刻用抗蚀剂图案形成套件(kit)。

背景技术

一直以来，在半导体制造等领域中，通过电子束等电离辐射、紫外线等短波长的光(以下有时将电离辐射和短波长的光统称为“电离辐射等”)的照射，主链被切断而在显影液中的溶解性增大的共聚物被用作主链切断型的正型抗蚀剂。

具体而言，在例如专利文献1中，作为对电离辐射的灵敏度和耐热性优异的主链切断型的正型抗蚀剂，公开了由含有α-氯丙烯酸-1-苯基-1-三氟甲基-2,2,2-三氟乙酯单元和α-甲基苯乙烯单元的共聚物形成的正型抗蚀剂。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-154754号公报。

发明内容

发明要解决的问题

在此，近年来，作为与电子束等相比曝光时的邻近效应小、能够形成微细的图案的技术，使用极紫外线(EUV：Extreme ultraviolet)的EUV光刻技术受到关注。另一方面，在上述现有技术中，在使用极紫外线作为曝光用的光源时能够以高分辨率高效地形成微细的抗蚀剂图案这一方面，存在改善的余地。

因此，本发明的目的在于提供一种能够用于在EUV光刻技术中以高分辨率高效地形成微细的抗蚀剂图案的正型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成套件。

另外，在本发明中，“高分辨率”是指抑制显影后的曝光部表面中的表面粗糙度、缺失接触孔的产生等，CD值(Critical Dimension值：表示抗蚀剂图案的线宽的临界尺寸的值)、LWR值(Line Width Roughness值：表示线宽粗糙度的值)、LER值(Line EdgeRoughness值：表示线边缘粗糙度的值)、LCDU值(Local Critical Dimension Uniformity值：局部临界尺寸的均匀性)等的评价结果良好。

用于解决问题的方案

本发明人为了实现上述目的而进行了深入研究。而且，本发明人发现如果使用用规定的单体形成的且重均分子量在规定的范围内的共聚物，则能够在EUV光刻技术中以高分辨率高效地形成微细的抗蚀剂图案，从而完成了本发明。

即，本发明的目的在于有利地解决上述问题，本发明的极紫外光刻用正型抗蚀剂组合物的特征在于包含具有下述式(I)所表示的单体单元(A)和下述式(II)所表示的单体单元(B)、且重均分子量大于100000的共聚物，

[化学式1]

[式(I)中，X为卤原子、氰基、烷基磺酰基、烷氧基、硝基、酰基、烷基酯基或卤代烷基，L为单键或二价的连结基团，Ar为能够具有取代基的芳香环基]。

[化学式2]