[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置在审
| 申请号： | 202180047544.1 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN115769342A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 田原香奈 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 衬底处理方法包括：第1处理液供给工序，将包含硫酸及过氧化氢水中的一者的第1处理液涂布于衬底的表面；第2处理液供给工序，将包含硫酸及过氧化氢水中的另一者且粘度比前述第1处理液低的第2处理液供给至涂布有前述第1处理液的前述衬底的表面；混合液处理工序，利用前述第1处理液及前述第2处理液在前述衬底的表面混合而生成的硫酸过氧化氢水混合液对前述衬底的表面进行处理；冲洗工序，在前述混合液处理工序之后，向前述衬底供给冲洗液，从而将前述硫酸过氧化氢水混合液从前述衬底的表面冲走。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
