[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置在审
申请号: | 202180047544.1 | 申请日: | 2021-06-01 |
公开(公告)号: | CN115769342A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 田原香奈 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 方法 装置 | ||
1.衬底处理方法,其包括:
第1处理液供给工序,将包含硫酸及过氧化氢水中的一者的第1处理液涂布于衬底的表面;
第2处理液供给工序,将包含硫酸及过氧化氢水中的另一者且粘度比所述第一处理液低的第二处理液供给至涂布有所述第1处理液的所述衬底的表面;
混合液处理工序,利用所述第1处理液及所述第2处理液在所述衬底的表面混合而生成的硫酸过氧化氢水混合液对所述衬底的表面进行处理;和
冲洗工序,在所述混合液处理工序之后,向所述衬底供给冲洗液,从而将所述硫酸过氧化氢水混合液从所述衬底的表面冲走。
2.如权利要求1所述的衬底处理方法,其中,所述第1处理液包含增黏剂。
3.衬底处理方法,其包括:
第1处理液供给工序,将包含增黏剂的第1处理液涂布于衬底的表面;
第2处理液供给工序,将第2处理液供给至涂布有所述第1处理液的所述衬底的表面;
混合液处理工序,利用所述第1处理液及所述第2处理液在所述衬底的表面混合而生成的硫酸过氧化氢水混合液对所述衬底的表面进行处理;和
冲洗工序,在所述混合液处理工序之后,向所述衬底供给冲洗液,从而将所述硫酸过氧化氢水混合液从所述衬底的表面冲走。
4.衬底处理方法,其包括:
第1处理液供给工序,将包含过氧化氢水及增黏剂的第1处理液涂布于衬底的表面;
第2处理液供给工序,将包含硫酸的第2处理液供给至涂布有所述第1处理液的所述衬底的表面;
混合液处理工序,利用所述第1处理液及所述第2处理液在所述衬底的表面混合而生成的硫酸过氧化氢水混合液对所述衬底的表面进行处理;和
冲洗工序,在所述混合液处理工序之后,向所述衬底供给冲洗液,从而将所述硫酸过氧化氢水混合液从所述衬底的表面冲走。
5.如权利要求2、3或4所述的衬底处理方法,其中,所述增黏剂包含选自由聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸、聚丙烯酸钠、聚丙烯酸铵、交联型聚丙烯酸、交联型聚丙烯酸钠、交联型丙烯酸系聚合物以及羧酸系共聚物组成的组中的至少一种。
6.如权利要求1~5中任一项所述的衬底处理方法,其中,所述第2处理液不包含增黏剂。
7.如权利要求1~6中任一项所述的衬底处理方法,其中,在所述第1处理液供给工序中,将所述第1处理液涂布于所述衬底的表面,从而形成覆盖所述衬底的表面的整个区域的所述第1处理液的涂布膜。
8.如权利要求1~7中任一项所述的衬底处理方法,其中,在所述第2处理液供给工序中,向所述第1处理液的涂布膜的表面供给所述第2处理液。
9.如权利要求1~8中任一项所述的衬底处理方法,其中,所述第2处理液供给工序在停止向所述衬底的表面供给所述第1处理液的状态下开始。
10.如权利要求1~9中任一项所述的衬底处理方法,其中,所述混合液处理工序中的至少一部分期间与所述第2处理液供给工序中的至少一部分期间重叠。
11.如权利要求1~10中任一项所述的衬底处理方法,其中,在所述混合液处理工序中的至少一部分期间中,停止向所述衬底的表面供给所述第2处理液。
12.如权利要求1~11中任一项所述的衬底处理方法,其中,将所述第1处理液供给工序和所述第2处理液供给工序交替地重复执行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造