[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置在审
申请号: | 202180047544.1 | 申请日: | 2021-06-01 |
公开(公告)号: | CN115769342A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 田原香奈 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 方法 装置 | ||
衬底处理方法包括:第1处理液供给工序,将包含硫酸及过氧化氢水中的一者的第1处理液涂布于衬底的表面;第2处理液供给工序,将包含硫酸及过氧化氢水中的另一者且粘度比前述第1处理液低的第2处理液供给至涂布有前述第1处理液的前述衬底的表面;混合液处理工序,利用前述第1处理液及前述第2处理液在前述衬底的表面混合而生成的硫酸过氧化氢水混合液对前述衬底的表面进行处理;冲洗工序,在前述混合液处理工序之后,向前述衬底供给冲洗液,从而将前述硫酸过氧化氢水混合液从前述衬底的表面冲走。
技术领域
本申请主张基于2020年7月14日提出的日本专利申请2020-120953号的优先权,该申请的全部内容通过引用并入本文。
本发明涉及处理衬底的装置及方法。成为处理对象的衬底例如包括半导体晶片、液晶显示装置用衬底、有机EL(电致发光,Electroluminescence)显示装置等FPD(平板显示器,Flat Panel Display)用衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、光磁盘用衬底、光掩模用衬底、陶瓷衬底、太阳能电池用衬底等。
背景技术
已知有下述方法:在衬底上将第1处理液与第2处理液混合并使其反应,利用其反应生成物质对衬底进行处理。具体而言,在用于将残留于干式蚀刻后的衬底上的抗蚀剂剥离的抗蚀剂剥离处理中,有时使用将硫酸与过氧化氢水混合而生成的SPM(硫酸过氧化氢水混合液)。
专利文献1公开了下述衬底处理:在喷嘴内将硫酸与过氧化氢水混合来配制SPM,将该SPM供给于衬底的表面。专利文献2公开了下述衬底处理:其他将硫酸及过氧化氢水从其他喷嘴供给于衬底上,在衬底上使它们混合从而生成SPM。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2019-207948号公报
专利文献2:日本特开2004-349669号公报
发明内容
发明所需要解决的课题
专利文献1的衬底处理中,由于一边流出处理液一边进行处理,因此处理液的消耗量变多。具体而言,需要以0.5~2升/分钟左右的流量从喷嘴排出SPM。因此,在衬底处理的成本及环境负荷方面仍有改善的余地。
专利文献2公开了下述衬底处理:在衬底上形成硫酸的液膜,对该液膜雾状地供给过氧化氢水。该处理特别是在减少硫酸的消耗量的方面是优选的,但是难以形成均匀地覆盖衬底表面的整个区域的液膜,并且也难以维持液膜覆盖衬底表面整个区域的状态。因此,对于处理的均匀性仍有改善的余地。
因此,本发明的一个实施方式提供能够均匀地处理衬底表面、并且能够减少处理液的消耗量的衬底处理方法及衬底处理装置。
用于解决课题的手段
本发明的一个实施方式为提供衬底处理方法,其包括:第1处理液供给工序,将包含硫酸及过氧化氢水中的一者的第1处理液涂布于衬底的表面;第2处理液供给工序,将包含硫酸及过氧化氢水中的另一者且粘度比前述第1处理液低的第2处理液供给至涂布有前述第1处理液的前述衬底的表面;混合液处理工序,利用前述第1处理液及前述第2处理液在前述衬底的表面混合而生成的硫酸过氧化氢水混合液对前述衬底的表面进行处理;冲洗工序,在前述混合液处理工序之后,向前述衬底供给冲洗液,从而将前述硫酸过氧化氢水混合液从前述衬底的表面冲走。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造