[发明专利]用于SOI结构的载体衬底和相关联的生产方法在审
| 申请号： | 202180045761.7 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN115769349A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | I·伯特兰;F·阿利伯特;R·布韦龙;W·施瓦岑贝格 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘爱勤;赵鹏 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种由单晶硅制成的载体衬底(10)，载体衬底(10)具有正面(10a)和背面(10b)，并且包括：‑从正面(10a)延伸到800nm至2微米之间的深度并具有通过基于暗场反射显微镜的表面检查而检测到的少于10个晶体原生颗粒(COP)的表面区域(1)，‑从正面(10a)延伸到几微米至40微米之间的深度并具有低于或等于7.5E17Oi/cm |
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| 搜索关键词： | 用于 soi 结构 载体 衬底 相关 生产 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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