[发明专利]透光性导电性片的制造方法在审
| 申请号： | 202180038168.X | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN115667573A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 藤野望;鸦田泰介 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;B32B7/023;B32B9/00;B32B37/14;H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 透光性导电性片(1)的制造方法中，通过对多个靶(51)、(52)、(53)、(54)分别施加电力的多次溅射，于基材片(2)形成透光性导电层(3)。该方法具备下述工序：第一工序，对由氧化锡的含有率超过8质量％的铟‑锡复合氧化物形成的第一靶(51)施加电力，于基材片(2)形成内侧层(6)；以及，第二工序，对由铟‑锡复合氧化物形成的第二靶(52)、由铟‑锡复合氧化物形成的第三靶(53)及由铟‑锡复合氧化物形成的第四靶(54)分别施加电力，于内侧层(6)形成外侧层(22)。第一靶(51)的电力密度P1相对于第二靶(52)、第三靶(53)及第四靶(54)的总电力密度P之比(P1/P)为0.20以下。 | ||
| 搜索关键词： | 透光 导电性 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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