[发明专利]透光性导电性片的制造方法

说明书

透光性导电性片(1)的制造方法中，通过对多个靶(51)、(52)、(53)、(54)分别施加电力的多次溅射，于基材片(2)形成透光性导电层(3)。该方法具备下述工序：第一工序，对由氧化锡的含有率超过8质量％的铟‑锡复合氧化物形成的第一靶(51)施加电力，于基材片(2)形成内侧层(6)；以及，第二工序，对由铟‑锡复合氧化物形成的第二靶(52)、由铟‑锡复合氧化物形成的第三靶(53)及由铟‑锡复合氧化物形成的第四靶(54)分别施加电力，于内侧层(6)形成外侧层(22)。第一靶(51)的电力密度P1相对于第二靶(52)、第三靶(53)及第四靶(54)的总电力密度P之比(P1/P)为0.20以下。

技术领域

本发明涉及透光性导电性片的制造方法。

背景技术

迄今，已知有在基材薄膜的表面具备由ITO形成的透明导电膜的透明导电性薄膜。

例如提出了通过2次溅射在基材薄膜的上表面依次层叠下层和上层的方法。(例如参见下述专利文献1。)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平8-174746号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，对透明导电膜要求低的电阻率。然而，专利文献1中记载的透明导电膜存在无法满足上述要求的不利情况。

本发明提供具备低电阻率的透光性导电层的透光性导电性片的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明(1)包括一种透光性导电性片的制造方法，该制造方法具备通过对多个靶分别施加电力的多次溅射而在基材片的厚度方向的一面形成透光性导电层的工序，前述形成透光性导电层的工序具备下述工序：第一工序，对第一靶施加电力，在前述基材片的前述厚度方向的一面形成内侧层，前述第一靶包括在前述多个靶中，包含氧化铟和氧化锡，由氧化锡的含有率超过8质量％的铟-锡复合氧化物形成；以及，第二工序，对前述第一靶以外的靶施加电力，在前述内侧层的厚度方向的一面形成外侧层，前述第一靶的电力密度P1相对于前述多个靶的总电力密度P之比(P1/P)为0.20以下。

该透光性导电性片的制造方法由于第一靶的电力密度P1相对于多个靶的总电力密度P之比(P1/P)为0.20以下，因此能够形成比内侧层更致密的外侧层，由此能够减小透光性导电层的电阻率。结果，能够制造具备低电阻率的透光性导电层的透光性导电性片。

此外，该透光性导电性片的制造方法由于对由氧化锡的含有率超过8质量％的铟-锡复合氧化物形成的第一靶施加电力来形成内侧层，因此能够充分减小透光性导电层的电阻率。

本发明(2)包括(1)所述的透光性导电性片的制造方法，前述第一工序在包含反应性气体的溅射气体的气氛下进行溅射，前述第二工序在包含反应性气体的溅射气体的气氛下进行溅射，前述第一工序当中的前述溅射气体中的反应性气体的比例R1相对于前述第二工序当中的前述溅射气体中的反应性气体的比例R2之比(R1/R2)为1以下。

本发明(3)包括(1)或(2)所述的透光性导电性片的制造方法，其中，在前述第二工序之后，还具备使前述透光性导电层结晶的第三工序。

发明的效果

根据本发明的制造方法，能够制造具备低电阻率的透光性导电层的透光性导电性片。

附图说明

图1是本发明的透光性导电性片的制造方法的一个实施方式中使用的溅射装置的示意图。

图2是利用图1的溅射装置制造的透光性导电性片的剖视图。

图3是图1所示的溅射装置的变形例的示意图。