[发明专利]等离子处理装置、数据解析装置以及半导体装置制造系统在审
申请号: | 202180017687.8 | 申请日: | 2021-07-14 |
公开(公告)号: | CN116157901A | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 野坂峻大;白石大辅;鹿子岛昭 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴秋明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供能根据峰值的形状的特征分配适当的元素并能进行高精度的波长辨识的等离子处理装置、数据解析装置以及半导体装置制造系统。等离子处理装置具备:处理室,其对样品进行等离子处理;高频电源,其供给用于生成等离子的高频电力;和样品台,其载置所述样品,该等离子处理装置还具备:分析部,其根据通过比较作为被监视的等离子的发光的光谱波形的第一光谱波形和第二光谱波形而求得的所述第一光谱波形与所述第二光谱波形的一致度,来确定所监视的所述等离子中的元素或分子,所述第二光谱波形是与所述元素或所述分子对应且乘以了权重系数的光谱波形。 | ||
搜索关键词: | 等离子 处理 装置 数据 解析 以及 半导体 制造 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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