[发明专利]等离子处理装置、数据解析装置以及半导体装置制造系统

权利要求书

1.一种等离子处理装置，具备：

处理室，其对样品进行等离子处理；

高频电源，其供给用于生成等离子的高频电力；和

样品台，其载置所述样品，

所述等离子处理装置的特征在于还具备：

分析部，其根据通过比较作为被监视的等离子的发光的光谱波形的第一光谱波形和第二光谱波形而求得的所述第一光谱波形与所述第二光谱波形的一致度，来确定所监视的所述等离子中的元素或分子，

所述第二光谱波形是与所述元素或所述分子对应且乘以了权重系数的光谱波形。

2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，

在所述一致度小于阈值的情况下，由所述分析部输出所述元素或所述分子所涉及的信息。

3.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，

由所述分析部调整所述权重系数，以使得所述一致度变小。

4.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，

在所述一致度小于阈值的情况下，由所述分析部提取所述第二光谱波形的峰值波长，并且根据所提取的所述峰值波长的发光强度和权重系数，来运算贡献度，

所述贡献度是表示各个所述元素或各个所述分子在所提取的所述峰值波长的发光强度中所占的大小的指标。

5.根据权利要求4所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述等离子处理装置还具备：

显示部，其按每个所述峰值波长显示所述元素或所述分子和所述贡献度。

6.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述等离子处理装置还具备：

分光器，其输出被监视的所述等离子的发光的数据，通过曝光时间调整所述等离子的发光的强度，

在所述第二光谱波形的一部分的波长下的发光强度过量程的情况下，由所述分析部将过量程的所述第二光谱波形更换成第三光谱波形，

所述第三光谱波形是运算以与过量程的所述第二光谱波形相比所述曝光时间短的所述第二光谱波形而得到的光谱波形，

所述运算是在与过量程的所述第二光谱波形相比所述曝光时间短的所述第二光谱波形上乘以将过量程的所述第二光谱波形的曝光时间除以与过量程的所述第二光谱波形相比所述曝光时间短的所述第二光谱波形的曝光时间而得到的值的运算。

7.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述分析部具备：成分选择部，其根据所述一致度来选择元素或分子。

8.一种数据解析装置，其特征在于，具备：

分析部，其根据通过比较作为被监视的等离子的发光的光谱波形的第一光谱波形和第二光谱波形而求得的所述第一光谱波形与所述第二光谱波形的一致度，来确定所监视的所述等离子中的元素或分子，

所述第二光谱波形是与等离子中的元素或分子对应且乘以了权重系数的光谱波形。

9.一种半导体装置制造系统，具备：

平台，其经由网络与半导体制造装置连接，执行确定等离子中的元素或分子的分析处理，

所述半导体装置制造系统的特征在于，

所述分析处理具有如下步骤：

根据通过比较作为被监视的等离子的发光的光谱波形的第一光谱波形和第二光谱波形而求得的所述第一光谱波形与所述第二光谱波形的一致度，来确定所监视的所述等离子中的元素或分子，

所述第二光谱波形是与等离子中的元素或分子对应且乘以了权重系数的光谱波形。

10.根据权利要求9所述的半导体装置制造系统，其特征在于，

将所述分析处理作为所述平台中所具备的应用来执行。