[发明专利]等离子处理装置、数据解析装置以及半导体装置制造系统在审
申请号: | 202180017687.8 | 申请日: | 2021-07-14 |
公开(公告)号: | CN116157901A | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 野坂峻大;白石大辅;鹿子岛昭 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴秋明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子 处理 装置 数据 解析 以及 半导体 制造 系统 | ||
提供能根据峰值的形状的特征分配适当的元素并能进行高精度的波长辨识的等离子处理装置、数据解析装置以及半导体装置制造系统。等离子处理装置具备:处理室,其对样品进行等离子处理;高频电源,其供给用于生成等离子的高频电力;和样品台,其载置所述样品,该等离子处理装置还具备:分析部,其根据通过比较作为被监视的等离子的发光的光谱波形的第一光谱波形和第二光谱波形而求得的所述第一光谱波形与所述第二光谱波形的一致度,来确定所监视的所述等离子中的元素或分子,所述第二光谱波形是与所述元素或所述分子对应且乘以了权重系数的光谱波形。
技术领域
本发明涉及等离子处理装置、数据解析装置以及半导体装置制造系统。
背景技术
已知为了得到半导体装置等的微细形状而通过在处理室内生成的等离子对晶片进行蚀刻的蚀刻装置等等离子处理装置。
等离子所引起的电离现象由于伴随发光现象,因此,在利用等离子进行处理的蚀刻装置中,存在搭载分光器从而能监视等离子所发出的光的蚀刻装置。通过监视等离子所发出的光,例如能进行故障排除(troubleshooting)等。将在分光器测量的数据在以下称作发光数据。
发光数据由多个波长以及时间下的发光强度的值构成,但由分光器收集的波长数据的个数达到数千,因此,从该大量波长数据中选择设为分析对象的波长成为课题。
在专利文献1中记载了实现从等离子的发光数据确定蚀刻处理的分析中所用的波长(称作波长辨识)的技术。通过对希望进行波长辨识的发光光谱使用该现有技术,能辨识与发光数据的峰值的波长对应的元素。
此外,在专利文献2中记载了利用图案模型来辨识对发光数据的峰值分配的元素的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:JP专利第6088867号说明书
专利文献2:JP专利第2521406号说明书
发明内容
发明要解决的课题
但在专利文献1记载的技术中,由于仅利用从发光数据的光谱波形提取的峰值的波长和峰值的强度,关于峰值的形状则并不设为对象,因此有可能对峰值的波长分配错误的元素。
此外,在专利文献2记载的技术中,存在对一个峰值双重地分配正确的元素和错误的元素的情况。还可以设想:在该情况下,需要根据分析者的经验判断哪一者是正确的元素,该判断伤脑筋。
因此,本发明目的在于,提供能根据峰值的形状的特征分配适当的元素或分子并能进行高精度的波长辨识的等离子处理装置、数据解析装置以及半导体装置制造系统。
用于解决课题的手段
为了达成上述目的,代表性的本发明所涉及的本发明的等离子处理装置之一通过如下方案达成,具备:处理室,其对样品进行等离子处理;高频电源,其供给用于生成等离子的高频电力;和样品台,其载置所述样品,在所述等离子处理装置中,还具备:分析部,其根据通过比较作为被监视的等离子的发光的光谱波形的第一光谱波形和第二光谱波形而求得的所述第一光谱波形与所述第二光谱波形的一致度,来确定所监视的所述等离子中的元素或分子,所述第二光谱波形是与所述元素或所述分子对应且乘以了权重系数的光谱波形。
此外,代表性的本发明所涉及的本发明的数据解析装置之一通过如下方案达成,具备:分析部,其根据通过比较作为被监视的等离子的发光的光谱波形的第一光谱波形和第二光谱波形而求得的所述第一光谱波形与所述第二光谱波形的一致度,来确定所监视的所述等离子中的元素或分子,所述第二光谱波形是与等离子中的元素或分子对应且乘以了权重系数的光谱波形。
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