[发明专利]半导体装置以及电容装置在审
| 申请号： | 202180009644.5 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN114981904A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 香川武史;原田真臣;松原弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王海奇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置以及电容装置。半导体装置1具备：半导体基板10，具有在厚度方向T上对置的第一主面10a以及第二主面10b；以及电路层20，设置于半导体基板10的第一主面10a上，电路层20具有：第一电极层22，设置于半导体基板10侧；第二电极层24，与第一电极层22对置设置；电介质层23，在剖面中设置于第一电极层22与第二电极层24之间；以及第一外部电极27，经由未设置有电介质层23的第一区域电连接于第一电极层22，电介质层23的第一区域侧的端部23a(23b)在第一电极层22侧的面与第一电极层22接触，在电介质层23中，端部23a(23b)的厚度方向T上的尺寸Ta(Tb)比位于第一电极层22与第二电极层24之间的电极间部23c的厚度方向T上的尺寸Tc小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 电容 | ||
【主权项】：
暂无信息
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