[发明专利]半导体装置以及电容装置

说明书

本发明涉及半导体装置以及电容装置。半导体装置1具备：半导体基板10，具有在厚度方向T上对置的第一主面10a以及第二主面10b；以及电路层20，设置于半导体基板10的第一主面10a上，电路层20具有：第一电极层22，设置于半导体基板10侧；第二电极层24，与第一电极层22对置设置；电介质层23，在剖面中设置于第一电极层22与第二电极层24之间；以及第一外部电极27，经由未设置有电介质层23的第一区域电连接于第一电极层22，电介质层23的第一区域侧的端部23a(23b)在第一电极层22侧的面与第一电极层22接触，在电介质层23中，端部23a(23b)的厚度方向T上的尺寸Ta(Tb)比位于第一电极层22与第二电极层24之间的电极间部23c的厚度方向T上的尺寸Tc小。

技术领域

本发明涉及半导体装置以及电容装置。

背景技术

作为用于半导体集成电路的代表性的电容器元件，例如，已知有MIM(MetalInsulator Metal：金属-绝缘体-金属)电容器(Capacitor)。MIM电容器是具有用下部电极和上部电极夹持电介质层的平行平板型的结构的电容器。

例如，在专利文献1中，公开了一种电子部件，其中，具备：电路元件，形成于基板上；电极层，与电路元件连接；保护层，覆盖电极层；以及端子电极，经由贯穿保护层的导通孔导体与电极层连接，并且设置于保护层的上部，端子电极的一端位于保护层的侧壁面上。

专利文献1：日本特开2011-44613号公报。

在专利文献1所记载的电子部件中，若电介质层的厚度变大、例如变为0.1μm以上，则电介质层的内部应力变大。因此，在设置于电介质层的开口附近，有在电介质层与下部电极之间产生剥离的情况。其结果是，由于对电容器元件的特性造成负面影响，因此存在可靠性降低的情况。另外，在电介质层的开口附近，若在电介质层与下部电极之间产生剥离，则有在连接于下部电极的第一电极与电介质层之间也产生剥离的情况。

发明内容

本发明是为了解决上述的问题而完成的，目的在于提供防止电介质层的剥离的半导体装置。另外，本发明的目的在于提供防止电介质层的剥离的电容装置。

本发明的半导体装置的特征在于，具备：半导体基板，具有在厚度方向上对置的第一主面以及第二主面；以及电路层，设置于上述半导体基板的上述第一主面上，上述电路层具有：第一电极层，设置于上述半导体基板侧；第二电极层，与上述第一电极层对置设置；电介质层，在剖面中设置于上述第一电极层与上述第二电极层之间；第一外部电极，经由未设置有上述电介质层的第一区域电连接于上述第一电极层，上述电介质层的上述第一区域侧的端部在上述第一电极层侧的面与上述第一电极层接触，在上述电介质层中，上述端部的上述厚度方向上的尺寸比位于上述第一电极层与上述第二电极层之间的电极间部的上述厚度方向上的尺寸小。

本发明的电容装置的特征在于，具备：基板，具有在厚度方向上对置的第一主面以及第二主面；以及电路层，设置于上述基板的上述第一主面上，上述电路层具有：第一电极层，设置于上述基板侧；第二电极层，与上述第一电极层对置设置；电介质层，在剖面中设置于上述第一电极层与上述第二电极层之间；第一外部电极，经由未设置有上述电介质层的第一区域电连接于上述第一电极层，上述电介质层的上述第一区域侧的端部在上述第一电极层侧的面与上述第一电极层接触，在上述电介质层中，上述端部的上述厚度方向上的尺寸比位于上述第一电极层与上述第二电极层之间的电极间部的上述厚度方向上的尺寸小。

根据本发明，能够提供防止电介质层的剥离的半导体装置。另外，根据本发明，能够提供防止电介质层的剥离的电容装置。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式1的半导体装置的平面示意图。

图2是示出与图1中的线段A1-A2对应的部分的剖面示意图。

图3是示出图2中的电介质层的端部的另一实施例的剖面示意图。