[发明专利]半导体装置以及电容装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，具有在厚度方向上对置的第一主面以及第二主面；以及

电路层，设置于所述半导体基板的所述第一主面上，

所述电路层具有：第一电极层，设置于所述半导体基板侧；第二电极层，与所述第一电极层对置设置；电介质层，在剖面中设置于所述第一电极层与所述第二电极层之间；第一外部电极，经由未设置有所述电介质层的第一区域电连接于所述第一电极层，

所述电介质层的所述第一区域侧的端部在所述第一电极层侧的面与所述第一电极层接触，

在所述电介质层中，所述端部的所述厚度方向上的尺寸比位于所述第一电极层与所述第二电极层之间的电极间部的所述厚度方向上的尺寸小。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一区域是设置于所述电介质层的开口，

所述电介质层的所述端部是包围所述开口的边缘部。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

在所述电介质层的所述端部，所述开口侧的所述厚度方向上的尺寸比与所述开口相反侧的所述厚度方向上的尺寸小。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

在所述电介质层中，所述端部的所述厚度方向上的尺寸随着朝向所述开口的中心而连续地变小。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

在所述电介质层中，所述端部的所述厚度方向上的尺寸随着朝向所述开口的中心而分阶段地变小。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述电介质层的所述端部的剖面形状为锥形形状。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述锥形形状的倾斜角度为30°以上且60°以下。

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其中，

具有电连接于所述第二电极层的第二外部电极，

所述锥形形状的所述厚度方向上的尺寸为零的位置和尺寸为最大的位置的从所述第二外部电极朝向所述第一外部电极的长度方向上的距离为所述电极间部的所述厚度方向上的尺寸的50％以上。

9.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体装置，其中，

具有电连接于所述第二电极层的第二外部电极，

所述锥形形状的所述厚度方向上的尺寸为零的位置和尺寸为最大的位置的从所述第二外部电极朝向所述第一外部电极的长度方向上的距离为所述开口的直径的1％以上。

10.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述电介质层至少在所述电极间部具有多层结构，

在所述电介质层中，构成所述端部的层数比构成所述电极间部的层数少。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，

构成所述电介质层的所述端部的层数为一层。

12.根据权利要求10或11所述的半导体装置，其中，

所述电介质层的所述多层结构所包含的多个层由相同的材料构成。

13.根据权利要求10或11所述的半导体装置，其中，

所述电介质层的所述多层结构所包含的多个层由不同的材料构成。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，

所述不同的材料从由SiN、SiO₂、SiON、Al₂O₃、HfO₂、以及Ta₂O₅构成的组中选择。