[发明专利]通过盖结构和相关切割装置利用切割工具暴露金属化焊盘以形成集成电路装置的方法在审
| 申请号： | 202180009291.9 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN115004337A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·C·德瑞;布鲁克·霍斯 | 申请（专利权）人： | 阿库斯蒂斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/02;H01L21/30;H01L21/301;H01L21/304;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 石佳 |
| 地址： | 美国北卡罗来*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造半导体装置的方法，可包括提供电联接到半导体晶圆上的金属化焊盘的集成电路，该集成电路和该金属化焊盘由盖结构覆盖。可使用具有尖端表面和斜切侧表面的切割工具在盖结构的覆盖金属化焊盘的一部分中切割通道，以暴露在第一方向上延伸的通道中的金属化焊盘的上表面；可在通道中沉积导电材料以与通道中的金属化焊盘的上表面欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 结构 相关 切割 装置 利用 工具 暴露 金属化 形成 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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