[发明专利]通过盖结构和相关切割装置利用切割工具暴露金属化焊盘以形成集成电路装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

提供电联接到半导体晶圆上的金属化焊盘的集成电路，所述集成电路和所述金属化焊盘由盖结构覆盖；

使用具有尖端表面和斜切侧表面的切割工具在所述盖结构的覆盖所述金属化焊盘的一部分中切割通道，以暴露在第一方向上延伸的所述通道中的所述金属化焊盘的上表面；以及

在所述通道中沉积导电材料以与所述通道中的所述金属化焊盘的上表面欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述尖端表面和所述斜切侧表面的与所述尖端表面邻近的一部分形成在约60度至约85度之间范围内的角度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述金属化焊盘具有在约1.5微米至约2微米之间范围内的厚度。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述斜切侧表面在所述通道中相对于所述金属化焊盘的上表面形成斜切侧壁。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述斜切侧表面的高度是所述盖结构的厚度的至少约50％。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述切割工具的在所述斜切侧表面上方的侧表面与所述尖端表面形成在约60度至约90度之间范围内的角度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述通道具有暴露所述金属化焊盘的上表面的至少约20％的宽度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述盖结构的所述一部分中切割所述通道包括：在所述盖结构内跨所述半导体晶圆移动所述切割工具，以形成暴露所述金属化焊盘的上表面的所述通道。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述切割工具包括旋转刀片或旋转线。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述盖结构的厚度在约50μm至约100μm之间范围内。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述盖结构包括玻璃或聚合物材料。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，提供电联接至所述半导体晶圆上的所述金属化焊盘的所述集成电路包括：

提供电联接到所述半导体晶圆上的第一金属化焊盘的集成电路和电联接到所述集成电路的第二金属化焊盘；以及

其中，在所述盖结构的所述一部分中切割所述通道包括：在所述盖结构内沿所述第一方向跨所述半导体晶圆移动所述切割工具，以形成所述通道，所述通道暴露所述第一金属化焊盘的上表面和所述第二金属化焊盘的上表面。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述集成电路包括第一集成电路，所述方法进一步包括：

第二集成电路，所述第二集成电路在所述半导体晶圆上沿所述第一方向与所述第一集成电路分离，所述第二集成电路电联接至所述半导体晶圆上的第三金属化焊盘，所述第三金属化焊盘在所述第一方向上与所述第一金属化焊盘和所述第二金属化焊盘对准并且由所述盖结构覆盖；以及

其中，在所述盖结构的所述一部分中切割所述通道包括：在所述盖结构内沿所述第一方向跨所述半导体晶圆移动所述切割工具以形成所述通道，所述通道暴露所述第一金属化焊盘的上表面、所述第二金属化焊盘的上表面以及所述第三金属化焊盘的上表面；以及

在所述通道中沉积所述导电材料以欧姆接触所述通道中的所述第一金属化焊盘的上表面、所述第二金属化焊盘的上表面和所述第三金属化焊盘的上表面。