[发明专利]通过盖结构和相关切割装置利用切割工具暴露金属化焊盘以形成集成电路装置的方法

说明书

一种制造半导体装置的方法，可包括提供电联接到半导体晶圆上的金属化焊盘的集成电路，该集成电路和该金属化焊盘由盖结构覆盖。可使用具有尖端表面和斜切侧表面的切割工具在盖结构的覆盖金属化焊盘的一部分中切割通道，以暴露在第一方向上延伸的通道中的金属化焊盘的上表面；可在通道中沉积导电材料以与通道中的金属化焊盘的上表面欧姆接触。

背景技术

本发明通常涉及电子装置。更具体地，本发明提供与用于体声波谐振器装置、单晶体声波谐振器装置、单晶滤波器和谐振器装置等的制造方法和结构相关的技术。仅仅作为示例，本发明已经被应用于用于通信装置、移动装置、计算装置等的单晶谐振器装置。

无线数据通信可利用在5GHz左右和更高频率下操作的RF滤波器。已知将结合了多晶压电薄膜的体声波谐振器(BAWR)用于一些应用。虽然一些多晶基压电薄膜BAWR对于操作在约1-3GHz的频率的滤波器可以是足够的，但是由于与这类薄的多晶基膜(thinpoly-based film)相关联的结晶度降低，因此在5GHz左右及以上的频率上的应用可能存在障碍。

发明内容

一种制造半导体装置的方法可包括提供集成电路，该集成电路电联接到半导体晶圆上的金属化焊盘，该集成电路和该金属化焊盘由盖结构覆盖。通道，该通道可使用具有尖端表面和斜切侧表面的切割工具在覆盖金属化焊盘的盖结构的一部分中切割而成，以暴露通道中的金属化焊盘的在第一方向上延伸的上表面；以及导电材料，可在通道中沉积该导电材料以与通道中的金属化焊盘的上表面欧姆接触。

附图说明

图1A是在根据本发明一些实施例中的晶圆的示意性代表图，该晶圆具有在其上形成的半导体装置A和B，该晶圆位于适用于单体化布置中以便将装置彼此分离以用于晶圆级集成格式中。

图1B是根据本发明一些实施例中的图1A的晶圆的截面图，该晶圆位于使用具有斜切侧表面的切割工具来暴露与装置A和B相联接的金属化焊盘的位置。

图1C是根据本发明一些实施例中的图1B的切割工具的截面视图，示出了相对于该切割工具的尖端表面的斜切侧表面以及在它们之间形成的角度的详细视图。

图1D是根据本发明一些实施例中的装置A和B的金属化焊盘的截面视图，这些金属化焊盘是使用图1B的切割工具暴露的，以便在晶圆盖结构中形成具有第一斜切侧壁和第二斜切侧壁的通道，其中，每个斜切侧壁与装置A或B中的一个相联接。

图2是根据本发明的一些实施例中的装置A的金属化焊盘的截面视图，该金属化焊盘使用切割工具暴露，以在晶圆盖结构中形成通道从而形成斜切侧壁，该斜切侧壁被定位成暴露出该金属化焊盘的上表面的至少20％。

图3是根据本发明一些实施例中的装置A的金属化焊盘的截面视图，该金属化焊盘使用切割工具暴露，以在具有斜切侧壁的晶圆盖结构中形成通道，该斜切侧壁包括各自形成不同角度的至少两个部分。

图4A是根据本发明一些实施例中的图1A和1B的装置A和B的示意性俯视图，该装置已经用切割工具处理，以形成暴露装置A和B的对应金属化焊盘的通道。

图4B是根据本发明一些实施例中的图1A和1B的装置A和B的示意性截面图，该装置已经用切割工具处理，以形成暴露相应金属化焊盘的通道，这些金属化焊盘具有在其上形成的导电材料。

图5是根据本发明一些实施例中的装置A的示意性平面图，该装置已经用切割工具处理，以形成暴露装置A的金属化焊盘的第一通道和第二通道。

图6是根据本发明一些实施例中图5的装置A的示意性截面图，该装置A已经被处理以在暴露的金属化焊盘上的通道中形成导电材料。

图7-12是根据本发明一些实施例中的装置A的示意性平面图，该装置已经用切割工具处理，以形成暴露装置A的金属化焊盘的通道。

具体实施方式