[发明专利]阵列基板及其制作方法有效
| 申请号： | 202180004901.6 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114787703B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 钟德镇;郑会龙;王新刚 | 申请（专利权）人： | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 蔡光仟 |
| 地址： | 215301 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种阵列基板及其制作方法，阵列基板包括：基底；设于基底上的数据线和第一绝缘层，第一绝缘层覆盖数据线；设于第一绝缘层上的金属氧化物半导体层，金属氧化物半导体层包括呈导体的源极和漏极以及呈半导体的有源层；设于金属氧化物半导体层上的栅极绝缘层以及设于栅极绝缘层上的扫描线和栅极，有源层在基底上的投影与扫描线和数据线在基底上投影的交叠区域相重合，栅极在基底上的投影与有源层在基底上的投影相重合；设于第一绝缘层上的像素电极。通过栅极和数据线分别可以为有源层遮挡外界环境光和背光，无需额外设置遮光层，也可避免有源层因受到光照而导致的TFT器件特性退化的问题；而且栅极与源/漏极的交叠量较小，减小寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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