[发明专利]阵列基板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202180004901.6 申请日: 2021-12-23
公开(公告)号: CN114787703B 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 钟德镇;郑会龙;王新刚 申请(专利权)人: 昆山龙腾光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 代理人: 蔡光仟
地址: 215301 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

基底(10);

设于所述基底(10)上表面的第一金属层(11),所述第一金属层(11)包括数据线(111);

设于所述第一金属层(11)上表面的第一绝缘层(101),所述第一绝缘层(101)覆盖所述数据线(111);

设于所述第一绝缘层(101)上方的金属氧化物半导体层(13),所述金属氧化物半导体层(13)包括呈导体的源极(131)和漏极(132)以及呈半导体的有源层(133),所述漏极(132)与所述源极(131)通过所述有源层(133)连接,所述源极(131)与所述数据线(111)导电连接;

设于所述金属氧化物半导体层(13)上方的栅极绝缘层(103)以及设于所述栅极绝缘层(103)上方的第二金属层(14),所述第二金属层(14)包括扫描线(141)以及与所述扫描线(141)导电连接的栅极(142),所述有源层(133)在所述基底(10)上的投影与所述扫描线(141)和所述数据线(111)在所述基底(10)上投影的交叠区域相重合,所述栅极(142)在所述基底(10)上的投影与所述有源层(133)在所述基底(10)上的投影相重合;

设于所述第一绝缘层(101)上方的像素电极(134),所述像素电极(134)与所述漏极(132)导电连接;

所述阵列基板还包括设于所述第二金属层(14)上方的第三绝缘层(104)以及设于所述第三绝缘层(104)上方的透明导电层(15),所述第三绝缘层(104)覆盖所述扫描线(141)和所述栅极(142),所述透明导电层(15)包括多个公共电极块(151),所述公共电极块(151)与所述像素电极(134)相互绝缘设置;

所述阵列基板还包括设于所述第一绝缘层(101)上方的触控金属层(12),所述触控金属层(12)包括触控走线(121),所述触控走线(121)在所述基底(10)上的投影与所述数据线(111)在所述基底(10)上的投影相重叠,所述触控走线(121)的延伸方向与所述数据线(111)的延伸方向相平行,每个所述公共电极块(151)与对应的所述触控走线(121)导电连接;

所述触控金属层(12)设于所述第一绝缘层(101)和所述金属氧化物半导体层(13)之间,所述触控金属层(12)和所述金属氧化物半导体层(13)之间设有第二绝缘层(102),所述触控金属层(12)还包括第一连接块(122),所述数据线(111)通过所述第一连接块(122)与所述源极(131)导电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述触控金属层(12)设于所述第一绝缘层(101)和所述金属氧化物半导体层(13)之间,所述触控金属层(12)和所述金属氧化物半导体层(13)之间设有第二绝缘层(102),所述触控金属层(12)还包括第一连接块(122),所述透明导电层(15)还包括第二连接块(152),所述数据线(111)通过所述第二连接块(152)以及所述第一连接块(122)与所述源极(131)导电连接。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述透明导电层(15)还包括所述像素电极(134),所述公共电极块(151)和所述像素电极(134)均为相互配合的梳状结构;或所述金属氧化物半导体层(13)采用透明金属氧化物半导体材料制成,所述金属氧化物半导体层(13)还包括呈导体的所述像素电极(134),所述像素电极(134)直接与所述漏极(132)导电连接。

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