[发明专利]阵列基板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202180004901.6 申请日: 2021-12-23
公开(公告)号: CN114787703B 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 钟德镇;郑会龙;王新刚 申请(专利权)人: 昆山龙腾光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 代理人: 蔡光仟
地址: 215301 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制作方法
【说明书】:

一种阵列基板及其制作方法,阵列基板包括:基底;设于基底上的数据线和第一绝缘层,第一绝缘层覆盖数据线;设于第一绝缘层上的金属氧化物半导体层,金属氧化物半导体层包括呈导体的源极和漏极以及呈半导体的有源层;设于金属氧化物半导体层上的栅极绝缘层以及设于栅极绝缘层上的扫描线和栅极,有源层在基底上的投影与扫描线和数据线在基底上投影的交叠区域相重合,栅极在基底上的投影与有源层在基底上的投影相重合;设于第一绝缘层上的像素电极。通过栅极和数据线分别可以为有源层遮挡外界环境光和背光,无需额外设置遮光层,也可避免有源层因受到光照而导致的TFT器件特性退化的问题;而且栅极与源/漏极的交叠量较小,减小寄生电容。

技术领域

发明涉及显示器技术领域,特别是涉及一种阵列基板及其制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展,轻薄化的显示面板倍受消费者的喜爱,尤其是轻薄化的显示面板(liquid crystal display,LCD)。

现有的一种显示装置包括薄膜晶体管阵列基板(简称阵列基板,Thin FilmTransistor Array Substrate,TFT Array Substrate)、彩膜基板(Color FilterSubstrate,CF Substrate)以及填充在薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子,上述显示装置工作时,在薄膜晶体管阵列基板的像素电极与彩膜基板的公共电极分别施加驱动电压或者在薄膜晶体管阵列基板的公共电极和像素电极分别施加驱动电压,控制两个基板之间的液晶分子的旋转方向,以将显示装置的背光模组提供的背光折射出来,从而显示画面。

显示面板通常需要贴附一层触控面板才能实现触控操作,为了减少显示面板的盒厚,现有技术中通常将触控电极做在显示面板内面,从而形成内嵌式触控(Incell TP)显示面板。为了减少制成工艺,触控走线通常与数据线采用同一层金属制成且并排设置,但是并排设置会减少像素的开口率。

现有技术中的氧化物薄膜晶体管(TFT)具有优异的电学性能、大面积制造均匀性及低制造成本等优势,有望在各类平板显示产品中实现应用。但是现有阵列基板的栅极通常是做在有源层的下方,有源层容易受到外界环境光照的影响而导致的TFT器件特性退化,因此需要在有源层的上方设置遮光层,以避免氧化物有源层因受到光照而导致的TFT器件特性退化。有少量的栅极则是做在有源层的上方,但是有源层容易受到背光模组的影响而导致的TFT器件特性退化,因此需要在有源层的下方设置遮光层,以避免氧化物有源层因受到光照而导致的TFT器件特性退化。在现有技术中,不管栅极是做在有源层的上方还是下方,均需要设置遮光层来避免有源层因受到光照而导致的TFT器件特性退化的问题,遮光层需要单独的一道蚀刻工艺,具体包括成膜、光刻、刻蚀、去胶清洗后实现图形化,工艺步骤比较复杂。而且,现有阵列基板的栅极与源/漏电极的交叠量较大,TFT器件寄生电容也更大。栅极与源漏极区的交叠面积决定器件寄生电容,交叠面积由套刻对准决定,寄生电容难以做小。

发明内容

为了克服现有技术中存在的缺点和不足,本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法,以解决现有技术中制成工艺比较复杂以及栅极与源/漏极产生的寄生电容较大的问题。

本发明的目的通过下述技术方案实现:

本发明提供一种阵列基板,包括:

基底;

设于所述基底上表面的第一金属层,所述第一金属层包括数据线;

设于所述第一金属层上表面的第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述数据线;

设于所述第一绝缘层上方的金属氧化物半导体层,所述金属氧化物半导体层包括呈导体的源极和漏极以及呈半导体的有源层,所述漏极与所述源极通过所述有源层连接,所述源极与所述数据线导电连接;

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