[发明专利]具有凹陷栅极晶体管的外围电路及其形成方法在审
| 申请号： | 202180002494.5 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113632169A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 石艳伟;王言虹;甘程;陈亮;刘威;夏志良;周文犀;张坤;杨远程 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在某些方面中，一种存储器装置包括存储器单元的阵列以及耦接至所述存储器单元的阵列的多个外围电路。所述外围电路包括具有凹陷栅极晶体管的第一外围电路。所述外围电路还包括具有平坦栅极晶体管的第二外围电路。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 凹陷 栅极 晶体管 外围 电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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