[发明专利]具有凹陷栅极晶体管的外围电路及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

存储器单元的阵列；以及

耦接至所述存储器单元的阵列的多个外围电路，其中，所述外围电路包括具有凹陷栅极晶体管的第一外围电路以及具有平坦栅极晶体管的第二外围电路。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一外围电路包括页缓冲器，所述页缓冲器包括所述凹陷栅极晶体管。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，

所述存储器单元的阵列包括多个NAND存储器串；

所述存储器装置还包括分别耦接至所述多个NAND存储器串的多条位线；并且

所述页缓冲器耦接至所述多条位线。

4.根据权利要求1或2所述的存储器装置，其中，所述第二外围电路包括输入/输出(I/O)电路。

5.根据权利要求1-4中的任一项所述的存储器装置，其中，所述凹陷栅极晶体管包括：

具有凹陷的阱；

凹陷栅极结构，所述凹陷栅极结构伸入到所述阱的所述凹陷中，并且包括第一栅极电介质以及位于所述第一栅极电介质上的第一栅电极；以及

通过所述凹陷栅极结构隔开的源极和漏极。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述凹陷栅极结构伸入到所述源极和漏极以下。

7.根据权利要求5或6所述的存储器装置，其中，所述平坦栅极晶体管包括：

阱；

平坦栅极结构，所述平坦栅极结构位于所述阱上并且包括第二栅极电介质和位于所述第二栅极电介质上的第二栅电极；以及

源极和漏极，

其中，所述凹陷栅极晶体管的所述阱的深度大于所述平坦栅极晶体管的所述阱的深度。

8.根据权利要求1-7中的任一项所述的存储器装置，其中，所述凹陷栅极晶体管包括一对相邻的P型凹陷栅极晶体管和N型凹陷栅极晶体管。

9.根据权利要求1-8中的任一项所述的存储器装置，还包括键合界面，其中，所述存储器单元的阵列和所述外围电路分别位于所述键合界面的相对侧上。

10.根据权利要求1-9中的任一项所述的存储器装置，其中，所述凹陷栅极晶体管和所述平坦栅极晶体管形成于同一衬底上。

11.根据权利要求1-10中的任一项所述的存储器装置，其中，所述存储器装置包括三维(3D)存储器装置。

12.一种三维(3D)存储器装置，包括：

包括NAND存储器串的阵列的第一半导体结构；

包括页缓冲器的第二半导体结构，其中，所述页缓冲器包括凹陷栅极晶体管；以及

位于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间的键合界面，其中，所述NAND存储器串的阵列横跨所述键合界面耦接至所述页缓冲器。

13.根据权利要求12所述的3D存储器装置，其中，所述NAND存储器串的阵列被布置在多个平面中，并且所述页缓冲器包括分别耦接至所述多个平面的多个页缓冲器。

14.根据权利要求12或13所述的3D存储器装置，其中，所述凹陷栅极晶体管包括：

具有凹陷的阱；

凹陷栅极结构，所述凹陷栅极结构伸入到所述阱的所述凹陷中，并且包括栅极电介质以及位于所述栅极电介质上的栅电极；以及

通过所述凹陷栅极结构隔开的源极和漏极。

15.根据权利要求12-14中的任一项所述的3D存储器装置，其中，所述凹陷栅极晶体管包括一对相邻的P型凹陷栅极晶体管和N型凹陷栅极晶体管。