[发明专利]具有降低的干扰的三维存储器器件编程在审
| 申请号： | 202180000130.3 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112771617A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 宋雅丽;赵向南;闵园园;贾建权;游开开 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/08;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种3D存储器器件可以包括第一组存储器层、在第一组存储器层上方的第二组存储器层、以及在第一存储器层与第二存储器层之间的第一虚设存储器层。该3D存储器器件可以包括多个NAND存储器串，多个NAND存储器串均延伸穿过第一组存储器层、第二组存储器层和第一虚设存储器层。该3D存储器器件可以包括字线(WL)驱动电路，在对第一组存储器层中的一个进行编程时，该WL驱动电路可以被配置为在预充电周期期间，将第二预充电电压施加到第一虚设存储器层。第二预充电电压可以与第一预充电电压重叠，并且在第一预充电电压之前坡降。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 降低 干扰 三维 存储器 器件 编程 | ||
【主权项】：
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