[实用新型]设置有电流阻断层的功率半导体器件有效
| 申请号： | 202123272249.2 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN216793694U | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;叶鹏;周锦程;刘晶晶;杨卓 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 涂三民;曹祖良 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种设置有电流阻断层的功率半导体器件，它包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第一类沟槽、第三类绝缘介质层、第一类导电多晶硅、场氧层、第一类绝缘介质、第二类导电多晶硅、栅氧层、第二导电类型体区、第一导电类型源区、第二类绝缘介质、源极金属、通孔、第二类沟槽与栅极金属，在所述第一导电类型外延层或第一导电类型衬底内设有第三类绝缘介质层。本实用新型提升了半导体功率器件在瞬间大电流下的可靠性，使得失效点从边角位置转移到芯片内部。 | ||
| 搜索关键词： | 设置 电流 阻断 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
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