[实用新型]设置有电流阻断层的功率半导体器件

权利要求书

1.一种设置有电流阻断层的功率半导体器件，它包括第一导电类型衬底（1），在第一导电类型衬底（1）的上方设有第一导电类型外延层（2），在第一导电类型外延层（2）的表面设置条形的互相平行且均匀分布的第一类沟槽（3），在第一类沟槽（3）的外围环绕着至少一条第二类沟槽（15），设有第一类沟槽（3）的一侧为第二类沟槽（15）的内侧，另一侧为第二类沟槽（15）的外侧；

在第一类沟槽（3）的下半段设有场氧层（6），在场氧层（6）内设有第一类导电多晶硅（5），第一类导电多晶硅（5）接源极电位，第一类导电多晶硅（5）通过场氧层（6）与第一导电类型外延层（2）绝缘，在第一类沟槽（3）的上半段设有栅氧层（9），在栅氧层（9）内设有第二类导电多晶硅（8），第二类导电多晶硅（8）接栅极电位，在第一类导电多晶硅（5）与第二类导电多晶硅（8）之间设有第一类绝缘介质（7），第二类导电多晶硅（8）通过栅氧层（9）与第一导电类型外延层（2）绝缘，相邻的第一类沟槽（3）之间的第一导电类型外延层（2）的表面设有第二导电类型体区（10），在第二导电类型体区（10）的表面设有第一导电类型源区（11），在第一类沟槽（3）与第一导电类型源区（11）的上方设有第二类绝缘介质（12），在第二类绝缘介质（12）的上方设有源极金属（13），源极金属（13）通过第二类绝缘介质（12）内的通孔（14）与第一导电类型源区（11）以及第二导电类型体区（10）欧姆接触；

所述第二类沟槽（15）内设有场氧层（6），在场氧层（6）内设有第一类导电多晶硅（5），与第一类沟槽（3）平行的第二类沟槽（15）与相邻的第一类沟槽（3）之间的外延层的表面设有第二导电类型体区（10），在第二导电类型体区（10）的上方设有第二类绝缘介质（12），在第二类绝缘介质（12）的上方设有源极金属（13），源极金属（13）通过第二类绝缘介质（12）内的通孔（14）与第二导电类型体区（10）欧姆接触；

在第一类沟槽（3）的两端的尽头，在第一类沟槽（3）的上方设有第二类绝缘介质（12），在第二类绝缘介质（12）的上方设有栅极金属（16），所述栅极金属（16）与第二类导电多晶硅（8）欧姆接触；

其特征在于：所述第二类沟槽（15）的外侧以及下方的第一导电类型外延层（2）或第一导电类型衬底（1）内设有第三类绝缘介质层（4）。

2.如权利要求1所述的设置有电流阻断层的功率半导体器件，其特征是：所述场氧层（6）、栅氧层（9）、第一类绝缘介质（7）、第二类绝缘介质（12）与第三类绝缘介质层（4）由二氧化硅或氮化硅构成。

3.如权利要求1所述的设置有电流阻断层的功率半导体器件，其特征是：在与第一类沟槽（3）平行的方向上，所述第三类绝缘介质层（4）的边缘越过第二类沟槽（15）并进入第二类沟槽（15）的内侧。

4.如权利要求1所述的设置有电流阻断层的功率半导体器件，其特征是：对于N型功率半导体器件，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

5.如权利要求1所述的设置有电流阻断层的功率半导体器件，其特征是：对于P型功率半导体器件，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。