[实用新型]应用于锗单晶生长的掺杂装置有效
| 申请号： | 202123177763.8 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN216998663U | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 曹旭;刘志远;李燕;王博;王宇;张路;雷同光;赵哲;孔腾飞 | 申请（专利权）人： | 有研国晶辉新材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/08 | 分类号： | C30B29/08;C30B15/04 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 065201 河北省廊坊市三*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，该应用于锗单晶生长的掺杂装置包括装置本体以及连接在所述装置本体一端端部的连接部件，所述装置本体上与所述连接部件相对的一端开设有容纳腔，用于容纳掺杂剂。该掺杂装置结构简单且操作方便，能够在锗单晶生长过程的中途进行再次添加掺杂剂，从而可以对锗单晶生长过程中的电阻率参数进行调整，以保证所生产的锗单晶满足所需电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 锗单晶 生长 掺杂 装置 | ||
【主权项】：
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