[实用新型]应用于锗单晶生长的掺杂装置

说明书

本实用新型提供了一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，该应用于锗单晶生长的掺杂装置包括装置本体以及连接在所述装置本体一端端部的连接部件，所述装置本体上与所述连接部件相对的一端开设有容纳腔，用于容纳掺杂剂。该掺杂装置结构简单且操作方便，能够在锗单晶生长过程的中途进行再次添加掺杂剂，从而可以对锗单晶生长过程中的电阻率参数进行调整，以保证所生产的锗单晶满足所需电阻率。

技术领域

本实用新型涉及锗单晶生长技术领域，具体涉及一种应用于锗单晶生长的掺杂装置。

背景技术

掺杂是一种控制锗单晶电阻率的有效方法，一般根据所需电阻率，需要在锗单晶生长前就确定掺杂剂的剂量，一旦完成掺杂，在锗单晶生长开始后就无法再次进行掺杂来对电阻率参数进行调整。

但是在锗单晶生长开始前掺入杂质的方法不能够进行拉晶过程中电阻率的调整，而目前也没有专用于锗单晶生长过程中的掺杂装置，因此急需一种能够在锗单晶生长过程的中途进行再次添加掺杂剂的掺杂装置。

实用新型内容

为了解决现有技术中锗单晶拉制过程中途无法进行再次掺杂的技术问题，本实用新型的主要目的在于提供一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，该掺杂装置结构简单且操作方便，能够在锗单晶生长过程的中途进行再次添加掺杂剂，从而可以对锗单晶生长过程中的电阻率参数进行调整，以保证所生产的锗单晶满足所需电阻率。

为了实现上述目的，本实用新型提供了一种应用于锗单晶生长的掺杂装置。

该应用于锗单晶生长的掺杂装置包括装置本体以及连接在所述装置本体一端端部的连接部件，所述装置本体上与所述连接部件相对的一端开设有容纳腔，用于容纳掺杂剂。

进一步的，所述装置本体呈圆柱状，所述容纳腔开设在其侧壁上。

进一步的，所述容纳腔呈倾斜U字型。

进一步的，所述连接部件呈倒圆锥台状，且其端面连接所述装置本体。

进一步的，所述装置本体的材质为高纯锗。

进一步的，所述连接部件的材质为高纯锗。

本实用新型中应用于锗单晶生长的掺杂装置的优点：

1、该掺杂装置结构简单、操作方便。

2、该掺杂装置可以在锗单晶生长的任意阶段进行掺杂，避免初始掺杂不合适造成电阻率不合格致使整根单晶报废，大大提高了生产效率。

3、装置本体的材质选取锗籽晶，不对原料产生污染。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本实用新型的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1为本实用新型提供的实施例中应用于锗单晶生长的掺杂装置的结构示意图。

图中：

1、装置本体；2、连接部件；3、容纳腔。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。