[实用新型]应用于锗单晶生长的掺杂装置有效
| 申请号： | 202123177763.8 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN216998663U | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 曹旭;刘志远;李燕;王博;王宇;张路;雷同光;赵哲;孔腾飞 | 申请（专利权）人： | 有研国晶辉新材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/08 | 分类号： | C30B29/08;C30B15/04 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 065201 河北省廊坊市三*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应用于 锗单晶 生长 掺杂 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，包括装置本体以及连接在所述装置本体一端端部的连接部件，所述装置本体上与所述连接部件相对的一端开设有容纳腔，用于容纳掺杂剂。
2.根据权利要求1所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述装置本体呈圆柱状，所述容纳腔开设在其侧壁上。
3.根据权利要求1或2所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述容纳腔呈倾斜U字型。
4.根据权利要求1所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述连接部件呈倒圆锥台状，且其端面连接所述装置本体。
5.根据权利要求1所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述装置本体的材质为高纯锗。
6.根据权利要求1所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述连接部件的材质为高纯锗。
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