[实用新型]硅片生产用真空箱有效
申请号: | 202123164277.2 | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN216337942U | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 王明明;郭磊;牛志楠;王强强;黄金;白焱辉;贾慧君 | 申请(专利权)人: | 晋能光伏技术有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/50;H01J37/32 |
代理公司: | 山西晋扬知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14125 | 代理人: | 张学元 |
地址: | 030699 山西省晋中市山西综改*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种硅片生产用真空箱,属于太阳能硅片生产设备技术领域。其解决了现有技术中PECVD设备中的三室真空箱存在的飘片缺陷。其主要包括箱体和抽真空机,所述箱体包括箱门,所述箱体内设有三个真空室,箱体在三个真空室的侧壁上分别开设抽气孔,抽真空机分别通过抽真空管连接三个真空室上的抽气孔,三个所述真空室内分别安装挡气板,挡气板通过支撑杆连接环形底座,所述环形底座连接箱体的内侧壁,且抽气孔在环形底座内。 | ||
搜索关键词: | 硅片 生产 空箱 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的