[实用新型]晶圆的测试结构有效

专利信息
申请号: 202122645820.4 申请日: 2021-11-01
公开(公告)号: CN216084883U 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 刘恩峰 申请(专利权)人: 北京燕东微电子科技有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/66;G01R31/26
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 蔡纯;张靖琳
地址: 100176 北京市大兴区北京经*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 专利申请公开一种晶圆的测试结构,该测试结构中的每个测试单元包括:相邻且分隔的多个第一掺杂区与多个第二掺杂区;以及多个栅极结构,沿第一方向,多个第一掺杂区与多个栅极结构间隔排布,第二掺杂区与第一掺杂区对应分布在多个栅极结构之间,第一方向垂直于晶圆的厚度方向,多个栅极结构包括第一栅极和多个第一伪栅极,沿第一方向,位于第一栅极两侧的第一掺杂区分别为第一源区和第一漏区,两侧的第二掺杂区分别为第二源区和第二漏区,第一源区、第一漏区、第二源区、第二漏区以及第一栅极分别连接至对应的测试电极,并且多个第一伪栅极与测试电极电隔离。通过形成多个伪栅极结构,从而模拟半导体器件中的多个栅极,提高了测试的准确率。
搜索关键词: 测试 结构
【主权项】:
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