[实用新型]晶圆的测试结构

权利要求书

1.一种晶圆的测试结构，所述晶圆包括多个半导体器件，其中至少一个半导体器件包括多个栅极，其特征在于，所述测试结构包括至少一个测试单元，每个所述测试单元包括：多个栅极结构、多个第一掺杂区、以及多个第二掺杂区；

其中，沿第一方向，所述多个第一掺杂区与所述多个栅极结构间隔排布，所述多个第二掺杂区与所述多个栅极结构间隔排布，且所述第二掺杂区与所述第一掺杂区对应分布，所述第一方向垂直于所述晶圆的厚度方向；

所述多个栅极结构包括第一栅极和多个第一伪栅极，沿所述第一方向，位于所述第一栅极两侧的所述第一掺杂区分别为第一源区和第一漏区，位于所述第一栅极两侧的所述第二掺杂区分别为第二源区和第二漏区，

所述第一源区、所述第一漏区、所述第二源区、所述第二漏区以及所述第一栅极分别连接至对应的测试电极，并且所述多个第一伪栅极与测试电极电隔离。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，沿所述第一方向，所述第一栅极的两侧各自设有至少一个所述第一伪栅极。

3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试单元还包括隔离结构，分隔所述多个第一掺杂区与所述多个第二掺杂区。

4.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，至少一个所述测试单元还包括：

第一阱区，与所述多个第一掺杂区的掺杂类型相反，所述多个第一掺杂区位于所述第一阱区中；

和/或第二阱区，与所述多个第二掺杂区的掺杂类型相反，所述多个第二掺杂区位于所述第二阱区中，

其中，所述隔离结构分隔所述第一阱区与所述第二阱区。

5.根据权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述多个栅极结构还包括多个第二伪栅极，位于所述第一阱区与所述第二阱区的外侧，

其中，所述多个第二伪栅极与测试电极电隔离。

6.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试单元位于所述晶圆的划片道和非功能区域的至少一个中。

7.根据权利要求1至6任一项所述的测试结构，其特征在于，所述多个栅极结构还包括第二栅极，与对应的测试电极连接，

其中，沿所述第一方向，所述第二栅极的一侧与所述第一栅极相邻，与所述第二栅极另一侧相邻的所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分别连接至对应的测试电极。

8.根据权利要求1至6任一项所述的测试结构，其特征在于，所述测试单元的数量为多个，多个所述测试单元呈阵列排布。

9.根据权利要求8所述的测试结构，其特征在于，所述多个测试单元中的一个作为有效测试单元，其测试电极被电连接，

所述多个测试单元中的其它作为哑元单元，其测试电极被电隔离。

10.根据权利要求8所述的测试结构，其特征在于，每个所述测试单元中的所述第一栅极电连接，每个所述测试单元中的所述第一源区电连接，每个所述测试单元中的所述第一漏区电连接，每个所述测试单元中的所述第二源区电连接，每个所述测试单元中的所述第二漏区电连接。