[实用新型]EUV光刻掩膜版有效
| 申请号： | 202122587469.8 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN216434662U | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 王光荣;李建新;巫奉伦;夏忠平 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38;G03F1/48 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈超德;吴昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种EUV光刻掩膜版，包括基板；位于所述基板上方的反射层；位于所述反射层上方的微晶玻璃层；位于所述微晶玻璃层上方的吸收体层；其中，所述吸收体层用于定义所述掩膜版的掩膜图案。通过在反射层上方设置微晶玻璃层，在不增加基底的热膨胀系数的基础上，可以保护反射层，避免在清洗时反射层与清洗液中的水分子或者C‑H化合物接触、反应形成碳膜，避免反射层的反射率受到影响，或者可以增强吸收体层与其下方的膜层之间的附着力，提升EUV光刻掩膜版的稳定性，从而提升器件图案化工艺的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | euv 光刻 掩膜版 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
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G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
