[实用新型]EUV光刻掩膜版有效
| 申请号： | 202122587469.8 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN216434662U | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 王光荣;李建新;巫奉伦;夏忠平 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38;G03F1/48 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈超德;吴昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | euv 光刻 掩膜版 | ||
1.一种EUV光刻掩膜版，其特征在于，包括：
基板；
位于所述基板上方的反射层；
位于所述反射层上方的微晶玻璃层；
位于所述微晶玻璃层上方的吸收体层；其中，所述吸收体层用于定义所述掩膜版的掩膜图案。
2.根据权利要求1所述的EUV光刻掩膜版，其特征在于，还包括：
位于所述微晶玻璃层与所述反射层之间的帽盖层。
3.根据权利要求2所述的EUV光刻掩膜版，其特征在于，所述帽盖层的下表面完全覆盖所述反射层的上表面。
4.根据权利要求3所述的EUV光刻掩膜版，其特征在于，所述微晶玻璃层的下表面完全覆盖所述帽盖层的上表面。
5.根据权利要求3所述的EUV光刻掩膜版，其特征在于，所述微晶玻璃层的下表面覆盖部分所述帽盖层的上表面；
所述吸收体层的下表面完全覆盖所述微晶玻璃层的上表面。
6.根据权利要求1所述的EUV光刻掩膜版，其特征在于，还包括：
位于所述吸收体层与所述微晶玻璃层之间的帽盖层。
7.根据权利要求6所述的EUV光刻掩膜版，其特征在于，所述微晶玻璃层的下表面完全覆盖所述反射层的上表面；
所述帽盖层的下表面完全覆盖所述微晶玻璃层的上表面。
8.根据权利要求1所述的EUV光刻掩膜版，其特征在于，所述反射层包括多个交替堆叠设置的硅层和钼层。
9.根据权利要求1所述的EUV光刻掩膜版，其特征在于，所述吸收体层包括依次在所述微晶玻璃层上方叠层设置的缓冲层、吸收层和抗反射层。
10.根据权利要求1所述的EUV光刻掩膜版，其特征在于，还包括：
位于所述基板下方的导电层。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
