[实用新型]EUV光刻掩膜版

说明书

本申请提供一种EUV光刻掩膜版，包括基板；位于所述基板上方的反射层；位于所述反射层上方的微晶玻璃层；位于所述微晶玻璃层上方的吸收体层；其中，所述吸收体层用于定义所述掩膜版的掩膜图案。通过在反射层上方设置微晶玻璃层，在不增加基底的热膨胀系数的基础上，可以保护反射层，避免在清洗时反射层与清洗液中的水分子或者C‑H化合物接触、反应形成碳膜，避免反射层的反射率受到影响，或者可以增强吸收体层与其下方的膜层之间的附着力，提升EUV光刻掩膜版的稳定性，从而提升器件图案化工艺的稳定性。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种EUV光刻掩膜版。

背景技术

由于在半导体产业中越来越高的集成密度，光刻掩模不得不在晶片上成像越来越小的结构。为了考虑该趋势，光刻设备的曝光波长移位至越来越短的波长。将可能用极紫外(EUV)范围(优选但不一定在6nm至15nm的范围内)中的波长来操作未来光刻系统。EUV波长范围对未来光刻系统的束路径中的光学元件的精度提出了极高的要求。在所有可能性中，光学元件、并且因此还有光刻掩模可以是反射式光学元件。

EUV掩模包括基板，设置在基板上的反射层，以及设置在反射层上的吸收体结构，其由吸收图案元件和/或相移图案元件制成。在光掩模的情况下，重要的是光掩模上的吸收体结构的图案元件恰好将由半导体部件的设计预先确定的结构元件成像到晶片上的光刻胶中。

但是目前的EUV光刻掩膜版的稳定性较差，不仅在清洗过程中，其反射层容易与清洗液中的水分子或者C-H化合物接触、反应，形成碳膜，导致掩膜版表面反射率的降低，且吸收体结构与其下方的反射层之间的附着力较低，导致吸收体结构变形，最终都将影响半导体器件的图案化工艺。

实用新型内容

针对上述问题，本申请提供了一种EUV光刻掩膜版，解决了现有技术中EUV光刻掩膜版稳定性较差影响图案化工艺的技术问题。

本申请提供一种EUV光刻掩膜版，包括：

基板；

位于所述基板上方的反射层；

位于所述反射层上方的微晶玻璃层；

位于所述微晶玻璃层上方的吸收体层；其中，所述吸收体层用于定义所述掩膜版的掩膜图案。

根据本申请的实施例，可选地，上述EUV光刻掩膜版中，还包括：

位于所述微晶玻璃层与所述反射层之间的帽盖层。

根据本申请的实施例，可选地，上述EUV光刻掩膜版中，所述帽盖层的下表面完全覆盖所述反射层的上表面。

根据本申请的实施例，可选地，上述EUV光刻掩膜版中，所述微晶玻璃层的下表面完全覆盖所述帽盖层的上表面。

根据本申请的实施例，可选地，上述EUV光刻掩膜版中，所述微晶玻璃层的下表面覆盖部分所述帽盖层的上表面；

所述吸收体层的下表面完全覆盖所述微晶玻璃层的上表面。

根据本申请的实施例，可选地，上述EUV光刻掩膜版中，还包括：

位于所述吸收体层与所述微晶玻璃层之间的帽盖层。

根据本申请的实施例，可选地，上述EUV光刻掩膜版中，所述微晶玻璃层的下表面完全覆盖所述反射层的上表面；

所述帽盖层的下表面完全覆盖所述微晶玻璃层的上表面。

根据本申请的实施例，可选地，上述EUV光刻掩膜版中，所述反射层包括多个交替堆叠设置的硅层和钼层。

根据本申请的实施例，可选地，上述EUV光刻掩膜版中，所述吸收体层包括依次在所述微晶玻璃层上方叠层设置的缓冲层、吸收层和抗反射层。