[实用新型]一种适用于硅片和硅锭的电导率测试仪有效

专利信息
申请号: 202122580909.7 申请日: 2021-10-26
公开(公告)号: CN216525567U 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 党小锋;刘全义;张月兰 申请(专利权)人: 九域半导体科技(苏州)有限公司
主分类号: G01N27/04 分类号: G01N27/04;G01B11/06;G01R27/02;G01R1/04
代理公司: 苏州汇德卓越专利代理事务所(普通合伙) 32496 代理人: 王佳鑫
地址: 215000 江苏省苏州市工业园区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种适用于硅片和硅锭的电导率测试仪,属于半导体材料性能参数测试技术领域,包括基板、工作台和龙门框架,在龙门框架上设有升降气缸,在活塞杆的端部分别设有第一电磁测试探头和激光位移传感器;工作台设于基板上方,工作台的上表面中心位置处开设有凹槽,在凹槽内设有第二电磁测试探头;第一电磁测试探头位于第二电磁测试探头的正上方,第一电磁测试探头内设有主动线圈和上被动线圈,主动线圈位于上被动线圈的正下方,第二电磁测试探头内设有下被动线圈。本实用新型的电导率测试仪可自动判定待测样品为硅片或硅锭,并分别在不同的工作模式下进行电导率测试,测试功能多,同时测试精确度高,操作使用方便。
搜索关键词: 一种 适用于 硅片 电导率 测试仪
【主权项】:
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